福田 憲司 | 産業技術総合研
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
福田 憲司
産業技術総合研
-
福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
福田 憲司
産業技術総合研究所
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所
-
加藤 真
産業技術総合研究所
-
岡本 光央
産業技術総合研究所
-
八尾 勉
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
-
田中 保宣
産業技術総合研究所
-
高尾 和人
産業技術総合研究所
-
高尾 和人
東芝
-
児島 一聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
下里 淳
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
田中 保宣
独立行政法人産業技術総合研究所
-
児島 一聡
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
下里 淳
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
一村 信吾
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
産業技術総合研
-
一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所
著作論文
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- 2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- 最近のSiCデバイスプロセス技術
- 4H-SiC基板上に形成された熱酸化膜の高信頼化技術(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- SiCデバイスにおけるプロセス技術の動向と展望 (特集 「シリコンカーバイド」がやって来た--実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料)
- SiCパワー半導体の製造プロセス技術と応用 (特設記事 21世紀を創るエレクトロニクス技術)