福田 憲司 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
産業技術総合研究所
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荒井 和雄
産業技術総合研究所
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安達 和広
産業技術総合研究所
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福田 憲司
産業技術総合研
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安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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加藤 真
産業技術総合研究所
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岡本 光央
産業技術総合研究所
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八尾 勉
産業技術総合研究所
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原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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小杉 亮治
産業技術総合研究所
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小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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小杉 亮治
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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田中 保宣
独立行政法人産業技術総合研究所
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田中 保宣
産業技術総合研究所
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高尾 和人
産業技術総合研究所
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高尾 和人
東芝
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児島 一聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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下里 淳
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
独立行政法人産業技術総合研究所
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児島 一聡
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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下里 淳
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
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青柳 昌宏
独立行政法人産業技術総合研究所
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田中 知行
超低損失電力素子技術研究体
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野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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青柳 昌宏
独立行政法人 産業技術総合研究所
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青柳 昌宏
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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大橋 弘通
産業技術総合研究所
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林 秀樹
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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荒井 和雄
超低損失電力素子研究体
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一村 信吾
産業技術総合研究所
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一村 信吾
産業技術総合研
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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築野 孝
住友電気工業(株)伊丹研究所
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築野 孝
住友電気工業株式会社半導体技術研究所
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荒井 和雄
超低損失電力素子研究体:独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
超低損失電力素子技術研究体
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鈴木 誠二
超低損失電力素子技術研究体
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今井 聖支
超低損失電力素子技術研究体
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先崎 純寿
超低損失電力素子技術研究体
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小杉 亮治
電子技術総合研究所
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四戸 孝
超低損失電力素子技術研究体
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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青柳 昌弘
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
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並川 靖生
住友電気工業
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野中 秀彦
産業技術総合研究所
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築野 孝
住友電気工業
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星野 孝志
住友電気工業
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徳田 人基
住友電気工業
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青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
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徳田 人基
住友電気工業株式会社
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大橋 弘通
独立行政法人産業技術総合研究所
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林 秀樹
住友電気工業株式会社
著作論文
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- 2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- SiC MOSFETの諸問題と基礎技術
- 最近のSiCデバイスプロセス技術
- 4H-SiC基板上に形成された熱酸化膜の高信頼化技術(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 炭化珪素(SiC)中の不純物の活性化と金属/SiC理想界面の形成技術
- 200℃動作SiCスイッチングモジュールの開発