高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
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概要
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The highly concentrated (almost 100 vol.%) ozone gas has been utilized to dry oxidation of SiC single crystal substrates by using a quartz furnace with local heating by a halogen heater. When the flow velocity of ozone was kept as high as 5 m•cm-1 or more, the strong oxidizing power of ozone enabled rapid oxidation of SiC at a considerably lower temperature than that for the oxidation in oxygen. The ozone oxidation also resulted in a lower interface state density in the device charactrization for the MOS structure probably because the ozone oxidation was effective in reducing carbon-related defects.
- 日本真空協会の論文
- 2008-03-20
著者
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
荒井 和雄
産業技術総合研究所
-
安達 和広
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
産業技術総合研
-
福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
福田 憲司
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所
-
福田 憲司
産業技術総合研
-
小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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