金属クラスター錯体を用いたクラスターイオン銃の開発
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- キャピラリーによるイオンビームの収束
- 水晶振動子センサー計測によるアンモニアプラズマ中のガス分析
- 水晶振動子センサー計測によるプラズマ気相成分の空間分布測定
- 水晶振動子計測によるプラズマ気相成分分析
- 2種類の圧力測定子を用いた水素漏洩検知
- 二成分濃度測定法における温度・湿度の影響
- 水晶振動子センサーによるシラン-水素混合気体中のシラン濃度比測定
- 紫外光励起オゾンによるシリコン酸化膜および化学気相成長法(CVD)-SiO_2膜の二段階酸化膜の界面特性評価
- 金属クラスター錯体イオンビームの発生とその応用
- VACUUM2008第30回真空展の報告
- VACUUM2007第29回真空展の報告
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- 金属クラスター錯体を用いたクラスターイオン銃の開発
- 高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価
- シリコン酸化膜の構造遷移層の密度分布解析
- 紫外光分解反応を用いた減圧・高濃度オゾンガス分解装置
- 高純度オゾン雰囲気中への紫外照射による化学気相堆積法(CVD)SiO_2膜の改質
- 励起状酸素を用いたシリコン低温酸化の大型基板酸化への適用
- 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン(HMDS)とオゾンによるシリコン酸化膜成長 : 赤外吸収スペクトルによる解析
- UV光励起オゾンを用いたポリシリコンの低温酸化
- 大容量型高純度オゾンビーム発生装置
- オゾン濃度その場測定によるUV光励起オゾン低温酸化プロセス中のO(^1D)の時間分布の解析
- オゾン光解離励起状態酸素原子によるシリコン低温酸化
- ナノテクノロジー計量計測における国際標準化
- 高濃度オゾンガスの局所リアルタイム濃度測定法の開発
- 有機シリコンガスと高濃度オゾンガスの交互供給による300℃以下でのSiO_2絶縁膜作成
- 強磁性体を用いたトンネル接合型電子源の作成
- 遷移金属の酸化還元反応を用いた新しいオゾン分解法
- 水晶摩擦真空計を用いた2成分混合気体の濃度計測
- 24pPSA-61 MIM接合型スピン電子源の作成II
- 新しい低温酸化プロセスの開発 (特集 新世代を拓くプロセス技術)
- 高品位シリコン酸化膜のオゾンによる低温作製技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用 (特集 クラスタービームとその応用技術)
- 高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング
- 純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用
- 平成19年度日本真空協会賞の審査経過と受賞業績紹介
- オークリッジ国立研究所滞在記
- オゾンビームの運動量制御
- プラズマ計測における水晶振動子センサーバイアス電圧依存性
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用
- 純オゾン源によるMBE法
- プラズマ計測における水晶振動子センサーバイアス電圧依存性
- 電子付着 : 高リドベルグ原子からの電荷交換を中心として
- 超高濃度オゾンを用いた低温酸化技術と半導体絶縁膜への応用
- 高励起原子からの電荷移動による負イオン生成 (特集/負イオン利用技術の現状--負イオン発見100年を記念して)