キャピラリーによるイオンビームの収束
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A ruby capillary which is available as an industrial product for the wire bonding machines for the microelectronics has been adopted to focus ion beams passively for the first time. An Ar+ ion beam with a beam current density of 3×10-6 A•cm-2 at an energy of 4 keV has been found to penetrate steadily the ruby capillary and the behavior of the beam through the capillary has been investigated in details. It has been also found that a large amount of secondary electrons are generated when the ion beam hits the capillary and a negative bias should be applied to the Faraday cup to measure the ion beam current through the capillary though the positive ion beam is to be measured.
- 2009-03-20
著者
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
齋藤 直昭
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
産業技術総合研
-
一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
-
渡辺 幸次
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
藤原 幸雄
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
近藤 貢二
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所
-
齋藤 直昭
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
関連論文
- キャピラリーによるイオンビームの収束
- 水晶振動子センサー計測によるアンモニアプラズマ中のガス分析
- 水晶振動子センサー計測によるプラズマ気相成分の空間分布測定
- 水晶振動子計測によるプラズマ気相成分分析
- 2種類の圧力測定子を用いた水素漏洩検知
- 二成分濃度測定法における温度・湿度の影響
- 水晶振動子センサーによるシラン-水素混合気体中のシラン濃度比測定
- 紫外光励起オゾンによるシリコン酸化膜および化学気相成長法(CVD)-SiO_2膜の二段階酸化膜の界面特性評価
- 金属クラスター錯体イオンビームの発生とその応用
- VACUUM2008第30回真空展の報告
- VACUUM2007第29回真空展の報告
- テラワットレーザー照射高密度ガスジェットプラズマのフィランメンテーションと高エネルギー電子発生
- プラズマプロセス計測のための小型の飛行時間式質量分析器の開発
- 実用電子分光法講座 第一回講義メモ(1993.2.4) (特集:VAMAS-SCA Japan復刻版(1989,1994)) -- (実用電子分光法講座(1994年1月))
- XPSにおて発生分布の非対称に与える弾性散乱効果の検討
- 超伝導検出器を搭載した飛行時間質量分析器の開発
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- 金属クラスター錯体を用いたクラスターイオン銃の開発
- 真空における"極"の追究
- 高純度オゾンビームを用いたシリコン極薄酸化膜の形成と評価
- 小型マイクロ波イオン源のオゾンによる動作特性
- 高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価
- 活性酸素発生用イオン源
- 紫外光分解反応を用いた減圧・高濃度オゾンガス分解装置
- 高純度オゾン雰囲気中への紫外照射による化学気相堆積法(CVD)SiO_2膜の改質
- 励起状酸素を用いたシリコン低温酸化の大型基板酸化への適用
- 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン(HMDS)とオゾンによるシリコン酸化膜成長 : 赤外吸収スペクトルによる解析
- UV光励起オゾンを用いたポリシリコンの低温酸化
- 大容量型高純度オゾンビーム発生装置
- オゾン濃度その場測定によるUV光励起オゾン低温酸化プロセス中のO(^1D)の時間分布の解析
- オゾン光解離励起状態酸素原子によるシリコン低温酸化
- 産業技術総合研究所におけるテニュアトラック制度 : 現状と今後の問題点(話題)
- 極高真空用材料の真空特性
- ナノテクノロジー計量計測における国際標準化
- 高濃度オゾンガスの局所リアルタイム濃度測定法の開発
- 有機シリコンガスと高濃度オゾンガスの交互供給による300℃以下でのSiO_2絶縁膜作成
- 2種類の圧力計による大気圧O_2/O_3混合ガスのO_3濃度計測
- 強磁性体を用いたトンネル接合型電子源の作成
- 遷移金属の酸化還元反応を用いた新しいオゾン分解法
- 水晶摩擦真空計を用いた2成分混合気体の濃度計測
- 圧力計測・校正用極高真空装置の試作とそのガス放出特性
- 24pPSA-61 MIM接合型スピン電子源の作成II
- 試料導入室における試料汚染要因
- 24aPS-41 Si(100)上でのオゾンによる酸化初期過程のSTM観察
- 22pT-15 オゾン酸化法を用いたMIM, MIS接合型電子源の作成 : 新しいスピン偏極電子源の作成の可能性
- 新しい低温酸化プロセスの開発 (特集 新世代を拓くプロセス技術)
- 高品位シリコン酸化膜のオゾンによる低温作製技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用 (特集 クラスタービームとその応用技術)
- 極薄シリコン酸化膜の新しい作製手法の開発--超高密度記録素子作製に向けた大きな一歩
- オゾン分解反応計測用指向性質量分析器の指向特性
- 高濃度オゾンの発生と応用技術
- 高濃度オゾンで形成した極薄シリコン酸化膜の界面構造
- 高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング
- オゾンによる水素終端シリコン酸化の面方位依存性
- 第二高調波発生(SHG)によるシリコン表面の信号検出深さ
- 純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用
- XHV '94会議報告
- 走査型トンネル顕微鏡を用いたNb(100)表面への酸素および水素吸着の解析
- 表面電子分光断層解析装置によるオージェ電子分布の解析
- 平成19年度日本真空協会賞の審査経過と受賞業績紹介
- オークリッジ国立研究所滞在記
- 電子分光法による絶縁物の表面分析と帯電現象
- オゾンビームの運動量制御
- プラズマ計測における水晶振動子センサーバイアス電圧依存性
- サマリー・アブストラクト
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用
- 純オゾン源によるMBE法
- 表面科学分野から研究機器開発への挑戦を
- 表面分析の進展と化学工業との接点
- オージェ電子分光法の最近の進展
- プラズマ計測における水晶振動子センサーバイアス電圧依存性
- 第67回応用物理学会学術講演会報告
- ISO TC 229(ナノテクノロジー)第2回総会報告
- 総論
- 表面評価方法と評価装置の現状
- 超高/極高真空の実現と計測技術
- 表面分析における最近の進展
- 9th International Conference on Quantitative Surface Analysis "QSA-9"参加報告
- 第9回定量表面分析国際会議(9th International Conference on Quantitative Surface Analysis)報告
- レーザーイオン化
- AESの結果は信用できるか? (表面,界面分析の工業的応用)
- 表面断層解析用装置によるSi表面層の観察
- 電子付着 : 高リドベルグ原子からの電荷交換を中心として
- 超高濃度オゾンを用いた低温酸化技術と半導体絶縁膜への応用
- 高励起原子からの電荷移動による負イオン生成 (特集/負イオン利用技術の現状--負イオン発見100年を記念して)