真空における"極"の追究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2000-05-29
著者
関連論文
- キャピラリーによるイオンビームの収束
- 2種類の圧力測定子を用いた水素漏洩検知
- 二成分濃度測定法における温度・湿度の影響
- 紫外光励起オゾンによるシリコン酸化膜および化学気相成長法(CVD)-SiO_2膜の二段階酸化膜の界面特性評価
- 金属クラスター錯体イオンビームの発生とその応用
- 実用電子分光法講座 第一回講義メモ(1993.2.4) (特集:VAMAS-SCA Japan復刻版(1989,1994)) -- (実用電子分光法講座(1994年1月))
- XPSにおて発生分布の非対称に与える弾性散乱効果の検討
- 超伝導検出器を搭載した飛行時間質量分析器の開発
- レーザーイオン化による極高真空計測-分子密度計測の可能性-
- 極高真空におけるアトムカウンティング技術
- ピコ秒レーザによるガスイオン化特性と真空計測
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- レーザによる極高真空計測の高感度化
- レーザ生成イオンの飛行時間型質量分析における検出効率の質量依存性
- 真空における"極"の追究
- 高純度オゾンビームを用いたシリコン極薄酸化膜の形成と評価
- 小型マイクロ波イオン源のオゾンによる動作特性
- 高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価
- 活性酸素発生用イオン源
- 紫外光分解反応を用いた減圧・高濃度オゾンガス分解装置
- 励起状酸素を用いたシリコン低温酸化の大型基板酸化への適用
- 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン(HMDS)とオゾンによるシリコン酸化膜成長 : 赤外吸収スペクトルによる解析
- UV光励起オゾンを用いたポリシリコンの低温酸化
- 大容量型高純度オゾンビーム発生装置
- オゾン濃度その場測定によるUV光励起オゾン低温酸化プロセス中のO(^1D)の時間分布の解析
- オゾン光解離励起状態酸素原子によるシリコン低温酸化
- 産業技術総合研究所におけるテニュアトラック制度 : 現状と今後の問題点(話題)
- 極高真空用材料の真空特性
- ナノテクノロジー計量計測における国際標準化
- 高濃度オゾンガスの局所リアルタイム濃度測定法の開発
- 有機シリコンガスと高濃度オゾンガスの交互供給による300℃以下でのSiO_2絶縁膜作成
- 2種類の圧力計による大気圧O_2/O_3混合ガスのO_3濃度計測
- 強磁性体を用いたトンネル接合型電子源の作成
- 遷移金属の酸化還元反応を用いた新しいオゾン分解法
- 水晶摩擦真空計を用いた2成分混合気体の濃度計測
- 圧力計測・校正用極高真空装置の試作とそのガス放出特性
- 試料導入室における試料汚染要因
- オゾン分解反応計測用指向性質量分析器の指向特性
- 高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング
- オゾンによる水素終端シリコン酸化の面方位依存性
- 第二高調波発生(SHG)によるシリコン表面の信号検出深さ
- 純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用
- XHV '94会議報告
- 表面構造の形成およびその場断層解析用真空装置の試作
- 表面電子分光断層解析装置によるオージェ電子分布の解析
- オゾンビームの運動量制御
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- アブストラクト
- レーザを用いた圧力計測 : 2.レーザ生成イオンの新しい検出システム
- レーザを用いた圧力計測 : 1.各種気体のレーザ・イオン化特性
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用
- 光応用技術 [I]
- 光による原子検出
- 超高真空装置に用いたステンレス鋼の特性
- レーザ・イオン化法による圧力計測のための極高真空装置の試作
- レーザによる粒子計測 (4)
- レーザによる粒子計測 (3)
- アブストラクト
- VAMAS-SCA-WG in Japan活動報告
- アブストラクト
- 総論
- 表面評価方法と評価装置の現状
- 超高/極高真空の実現と計測技術
- 表面分析における最近の進展
- 9th International Conference on Quantitative Surface Analysis "QSA-9"参加報告
- 第9回定量表面分析国際会議(9th International Conference on Quantitative Surface Analysis)報告
- レーザーイオン化
- AESの結果は信用できるか? (表面,界面分析の工業的応用)
- アブストラクト
- 表面断層解析用装置によるSi表面層の観察
- オージェ定量分析の基礎 : 背面散乱電子効果の補正を中心にして