オゾン濃度その場測定によるUV光励起オゾン低温酸化プロセス中のO(^1D)の時間分布の解析
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概要
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Silicon oxidation process using UV-light excited ozone, i.e., ca. 100% ozone atmosphere irradiated by KrF excimer laser light (λ=248 nm), is one of the most promising techniques to fabricate a high-quality SiO2 film at low temperatures. To clarify the mechanism of the silicon oxidation and to optimize the conditions of oxidation, we have done a time-resolved measurement of ozone density. The result shows that there are three stages of ozone density change. The calculated ozone density based on a reaction model fits the observed density at the first stage.
- 日本真空協会の論文
- 2006-03-20
著者
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野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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戸坂 亜希
独立行政法人産業技術総合研究所
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西口 哲也
株式会社 明電舎
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一村 信吾
産業技術総合研究所
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一村 信吾
産業技術総合研
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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西口 哲也
独立行政法人産業技術総合研究所
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野中 秀彦
独立行政法人産業技術総合研究所
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一村 信吾
独立行政法人産業技術総合研究所
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野中 秀彦
産業技術総合研究所
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一村 信吾
独立行政法人 産業技術総合研究所
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