オゾン濃度その場測定によるUV光励起オゾン低温酸化プロセス中のO(^1D)の時間分布の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Silicon oxidation process using UV-light excited ozone, i.e., ca. 100% ozone atmosphere irradiated by KrF excimer laser light (λ=248 nm), is one of the most promising techniques to fabricate a high-quality SiO2 film at low temperatures. To clarify the mechanism of the silicon oxidation and to optimize the conditions of oxidation, we have done a time-resolved measurement of ozone density. The result shows that there are three stages of ozone density change. The calculated ozone density based on a reaction model fits the observed density at the first stage.
- 日本真空協会の論文
- 2006-03-20
著者
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
戸坂 亜希
独立行政法人産業技術総合研究所
-
西口 哲也
株式会社 明電舎
-
一村 信吾
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
産業技術総合研
-
一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
-
西口 哲也
独立行政法人産業技術総合研究所
-
野中 秀彦
独立行政法人産業技術総合研究所
-
一村 信吾
独立行政法人産業技術総合研究所
-
野中 秀彦
産業技術総合研究所
-
一村 信吾
独立行政法人 産業技術総合研究所
関連論文
- キャピラリーによるイオンビームの収束
- 水晶振動子センサー計測によるアンモニアプラズマ中のガス分析
- 水晶振動子センサー計測によるプラズマ気相成分の空間分布測定
- 水晶振動子計測によるプラズマ気相成分分析
- 2種類の圧力測定子を用いた水素漏洩検知
- 二成分濃度測定法における温度・湿度の影響
- 水晶振動子センサーによるシラン-水素混合気体中のシラン濃度比測定
- 紫外光励起オゾンによるシリコン酸化膜および化学気相成長法(CVD)-SiO_2膜の二段階酸化膜の界面特性評価
- 金属クラスター錯体イオンビームの発生とその応用
- VACUUM2008第30回真空展の報告
- VACUUM2007第29回真空展の報告
- 実用電子分光法講座 第一回講義メモ(1993.2.4) (特集:VAMAS-SCA Japan復刻版(1989,1994)) -- (実用電子分光法講座(1994年1月))
- XPSにおて発生分布の非対称に与える弾性散乱効果の検討
- 超伝導検出器を搭載した飛行時間質量分析器の開発
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- 金属クラスター錯体を用いたクラスターイオン銃の開発
- 真空における"極"の追究
- 高純度オゾンビームを用いたシリコン極薄酸化膜の形成と評価
- 小型マイクロ波イオン源のオゾンによる動作特性
- 高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価
- 活性酸素発生用イオン源
- 紫外光分解反応を用いた減圧・高濃度オゾンガス分解装置
- 高純度オゾン雰囲気中への紫外照射による化学気相堆積法(CVD)SiO_2膜の改質
- 励起状酸素を用いたシリコン低温酸化の大型基板酸化への適用
- 1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン(HMDS)とオゾンによるシリコン酸化膜成長 : 赤外吸収スペクトルによる解析
- UV光励起オゾンを用いたポリシリコンの低温酸化
- 材料応用 ピュアオゾンジェネレータによるシリコン絶縁膜作製 (材料技術特集)
- 大容量型高純度オゾンビーム発生装置
- オゾン濃度その場測定によるUV光励起オゾン低温酸化プロセス中のO(^1D)の時間分布の解析
- オゾン光解離励起状態酸素原子によるシリコン低温酸化
- 産業技術総合研究所におけるテニュアトラック制度 : 現状と今後の問題点(話題)
- 極高真空用材料の真空特性
- ナノテクノロジー計量計測における国際標準化
- 高濃度オゾンガスの局所リアルタイム濃度測定法の開発
- 有機シリコンガスと高濃度オゾンガスの交互供給による300℃以下でのSiO_2絶縁膜作成
- 2種類の圧力計による大気圧O_2/O_3混合ガスのO_3濃度計測
- 強磁性体を用いたトンネル接合型電子源の作成
- 遷移金属の酸化還元反応を用いた新しいオゾン分解法
- 水晶摩擦真空計を用いた2成分混合気体の濃度計測
- 圧力計測・校正用極高真空装置の試作とそのガス放出特性
- 24pPSA-61 MIM接合型スピン電子源の作成II
- 試料導入室における試料汚染要因
- 24aPS-41 Si(100)上でのオゾンによる酸化初期過程のSTM観察
- 22pT-15 オゾン酸化法を用いたMIM, MIS接合型電子源の作成 : 新しいスピン偏極電子源の作成の可能性
- 新しい低温酸化プロセスの開発 (特集 新世代を拓くプロセス技術)
- 高品位シリコン酸化膜のオゾンによる低温作製技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用 (特集 クラスタービームとその応用技術)
- 極薄シリコン酸化膜の新しい作製手法の開発--超高密度記録素子作製に向けた大きな一歩
- オゾン分解反応計測用指向性質量分析器の指向特性
- 高濃度オゾンの発生と応用技術
- 高濃度オゾンで形成した極薄シリコン酸化膜の界面構造
- 高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング
- オゾンによる水素終端シリコン酸化の面方位依存性
- 第二高調波発生(SHG)によるシリコン表面の信号検出深さ
- 純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用
- XHV '94会議報告
- 走査型トンネル顕微鏡を用いたNb(100)表面への酸素および水素吸着の解析
- 表面電子分光断層解析装置によるオージェ電子分布の解析
- 平成19年度日本真空協会賞の審査経過と受賞業績紹介
- オークリッジ国立研究所滞在記
- 電子分光法による絶縁物の表面分析と帯電現象
- オゾンビームの運動量制御
- 高純度液体オゾン製造装置の開発 (材料/デバイス・機器特集) -- (デバイス・機器)
- プラズマ計測における水晶振動子センサーバイアス電圧依存性
- サマリー・アブストラクト
- ピュアオゾンジェネレータの新展開 (情報・通信特集) -- (産業用コンポーネント)
- 高純度オゾン酸化技術 (〔明電舎〕総合研究所特集)
- ピュアオゾンジェネレータ (電子機器・情報機器特集) -- (単体コンポーネント製品)
- 金属クラスター錯体イオンビームの特性と二次イオン質量分析(SIMS)への応用
- 純オゾン源によるMBE法
- 表面科学分野から研究機器開発への挑戦を
- 表面分析の進展と化学工業との接点
- オージェ電子分光法の最近の進展
- プラズマ計測における水晶振動子センサーバイアス電圧依存性
- 第67回応用物理学会学術講演会報告
- ISO TC 229(ナノテクノロジー)第2回総会報告
- 総論
- 表面評価方法と評価装置の現状
- 超高/極高真空の実現と計測技術
- 表面分析における最近の進展
- 9th International Conference on Quantitative Surface Analysis "QSA-9"参加報告
- 第9回定量表面分析国際会議(9th International Conference on Quantitative Surface Analysis)報告
- レーザーイオン化
- AESの結果は信用できるか? (表面,界面分析の工業的応用)
- 表面断層解析用装置によるSi表面層の観察
- 電子付着 : 高リドベルグ原子からの電荷交換を中心として
- 超高濃度オゾンを用いた低温酸化技術と半導体絶縁膜への応用
- 高励起原子からの電荷移動による負イオン生成 (特集/負イオン利用技術の現状--負イオン発見100年を記念して)
- ナノテクノロジー時代の国際標準