安達 和広 | 産業技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 安達 和広

  産業技術総合研究所

• 荒井 和雄

  産業技術総合研究所

• 安達 和広

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 福田 憲司

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 八尾 勉

  独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 福田 憲司

  産業技術総合研究所

• 荒井 和雄

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 岡本 光央

  独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 岡本 光央

  産業技術総合研究所

• 八尾 勉

  産業技術総合研究所

• 原田 信介

  独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 福田 憲司

  産業技術総合研

• 加藤 真

  産業技術総合研究所

• 高尾 和人

  東芝

• 原田 信介

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 小杉 亮治

  産業技術総合研究所

• 小杉 亮治

  産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター

• 田中 保宣

  産業技術総合研究所

• 高尾 和人

  産業技術総合研究所

• 小杉 亮治

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 先崎 純寿

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 田中 保宣

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 児島 一聡

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 下里 淳

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 八尾 勉

  独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 荒井 和雄

  独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 荒井 和雄

  独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 児島 一聡

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 下里 淳

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 成 慶〓

  産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ

• 大橋 弘通

  産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ

• 田中 知行

  超低損失電力素子技術研究体

• 大村 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 野中 秀彦

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 一村 信吾

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 谷内 利明

  東京理科大学大学院工学研究科

• 高塚 章夫

  産業技術総合研究所

• 矢野 浩司

  山梨大学大学院

• 松本 聡

  NTT環境エネルギー研究所

• 池田 善重

  ニチコン(株)

• 大橋 弘通

  東京工業大学工学部

• 谷内 利明

  東京理科大学工学部

• 成 慶〓

  東京工業大学

• 成 慶〓

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 色川 泰史

  東京工業大学

• 大橋 弘通

  産業技術総合研究所

• 谷内 利明

  東京理科大学

• 荒井 和雄

  超低損失電力素子研究体

• 一村 信吾

  産業技術総合研究所

• 一村 信吾

  産業技術総合研

• 高尾 和人

  独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 荒井 和雄

  超低損失電力素子研究体:独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 福田 憲司

  独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 福田 憲司

  超低損失電力素子技術研究体

• 鈴木 誠二

  超低損失電力素子技術研究体

• 今井 聖支

  超低損失電力素子技術研究体

• 先崎 純寿

  超低損失電力素子技術研究体

• 小杉 亮治

  電子技術総合研究所

• 四戸 孝

  超低損失電力素子技術研究体

• 一村 信吾

  工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部

• 野中 秀彦

  産業技術総合研究所

• 大橋 弘通

  東京工業大学大学院

• 福田 憲司

  独立行政法人産業技術総合研究所

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著作論文

• 埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価
• [特別講演]次々世代CPU用電源(小テーマ:部品・デバイス・材料技術関連)
• Si-MOSFET/SiC-SBDペアによる高パワー密度電力変換器のための素子限界損失解析法
• 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性
• 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
• 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
• 2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET
• 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
• パワーエレクトロニクス分野の新しい息吹 (創刊88周年記念特集 わが国産業技術の再生を目指す)
• SiC MOSFETの諸問題と基礎技術

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