荒井 和雄 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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荒井 和雄
産業技術総合研究所
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安達 和広
産業技術総合研究所
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安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
産業技術総合研究所
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荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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岡本 光央
産業技術総合研究所
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八尾 勉
産業技術総合研究所
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原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
産業技術総合研
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加藤 真
産業技術総合研究所
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原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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小杉 亮治
産業技術総合研究所
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小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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田中 保宣
産業技術総合研究所
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高尾 和人
産業技術総合研究所
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高尾 和人
東芝
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小杉 亮治
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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田中 保宣
独立行政法人産業技術総合研究所
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升方 勝己
富山大学大学院理工学研究部(工学)
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北村 岩雄
富山大学工学部
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児島 一聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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下里 淳
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
電子技術総合研究所
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升方 勝己
富山大学
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北村 岩雄
富山大
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北村 岩雄
富山大学
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田上 尚男
産業技術総合研究所
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荒井 和雄
電総研
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荒井 和雄
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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児島 一聡
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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下里 淳
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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成 慶〓
産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
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大橋 弘通
産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
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田中 知行
超低損失電力素子技術研究体
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野中 秀彦
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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一村 信吾
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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高塚 章夫
産業技術総合研究所
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矢野 浩司
山梨大学大学院
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成 慶〓
東京工業大学
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成 慶〓
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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色川 泰史
東京工業大学
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大橋 弘通
産業技術総合研究所
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荒井 和雄
超低損失電力素子研究体
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伊藤 弘昭
富山大学
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三宅 秀典
富山大学
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一村 信吾
産業技術総合研究所
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一村 信吾
産業技術総合研
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
超低損失電力素子研究体:独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
超低損失電力素子技術研究体
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鈴木 誠二
超低損失電力素子技術研究体
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今井 聖支
超低損失電力素子技術研究体
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先崎 純寿
超低損失電力素子技術研究体
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小杉 亮治
電子技術総合研究所
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四戸 孝
超低損失電力素子技術研究体
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一村 信吾
工業技術院電子技術総合研究所 極阪技術部
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東山 昌義
富山大
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東山 昌義
富山大学
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井川 賢治
富山大学
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冨田 隆行
富山大学
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廣明 拓哉
富山大学
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TANTISATTAYAKUL T.
富山大学
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野中 秀彦
産業技術総合研究所
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福田 憲司
独立行政法人産業技術総合研究所
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伊藤 弘昭
宇部宮大院工
著作論文
- 埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価
- Si-MOSFET/SiC-SBDペアによる高パワー密度電力変換器のための素子限界損失解析法
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- 2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- SiC MOSFETの諸問題と基礎技術
- 日本におけるSiC研究開発の現状と展望(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 日本におけるSiC研究開発の現状と展望(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- プラズマガンを用いた高出力パルス重イオンビーム源の開発
- 両極性パルス加速器の開発