高尾 和人 | 東芝
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概要
関連著者
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高尾 和人
東芝
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四戸 孝
東芝
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金井 丈雄
東芝三菱電機産業システム
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和田 圭二
首都大学東京
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安達 和広
産業技術総合研究所
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大橋 弘通
産業技術総合研究所
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田中 保宣
独立行政法人産業技術総合研究所
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成 慶〓
産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
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大橋 弘通
産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
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田中 保宣
産業技術総合研究所
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荒井 和雄
産業技術総合研究所
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成 慶〓
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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高尾 和人
産業技術総合研究所
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安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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田中 保宣
産総研
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成 慶〓
茨城高専
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大橋 弘通
産総研
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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加藤 真
産業技術総合研究所
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岡本 光央
産業技術総合研究所
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八尾 勉
産業技術総合研究所
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福田 憲司
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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原田 信介
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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小杉 亮治
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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児島 一聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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下里 淳
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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原田 信介
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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岡本 光央
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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福田 憲司
産業技術総合研究所
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西澤 伸一
産総研
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小杉 亮治
産業技術総合研究所
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福田 憲司
産業技術総合研
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四戸 孝
FUPET
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大田 千春
東芝
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松岡 祐司
東芝三菱電機産業システム
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児島 一聡
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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下里 淳
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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菊地 拓雄
東芝
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小杉 亮治
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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成 慶〓
茨城工業高等専門学校
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成 慶〓
東京工業大学
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色川 泰史
東京工業大学
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中沢 洋介
東芝
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秋山 裕信
茨城工業高等専門学校
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小山 潤平
首都大学東京
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高尾 和人
独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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八尾 勉
独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
独立行政法人産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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荒井 和雄
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
荒井 和雄
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
著作論文
- Si-MOSFET/SiC-SBDペアによる高パワー密度電力変換器のための素子限界損失解析法
- SiC-PiNダイオードとIEGTのハードドライブによる高電圧・大容量変換器の高周波化
- 2直列接続Si-IEGTとSiC-PiNダイオードペアのスイッチング特性の実験結果
- Si-IEGTとSiC-PiNダイオードを用いたハイブリッドペアモジュールの熱設計
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性
- SiCハイブリッドペアによる低損失インバータ
- 4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiNダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の4kHzスイッチング動作の実証
- 統合シミュレーションを用いた1.2kV-300 A SiC モジュールの開発
- 4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiN ダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の4kHzスイッチング動作の実証
- 統合シミュレーションを用いた1.2kV-300A SiCモジュールの開発