四戸 孝 | FUPET
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概要
関連著者
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四戸 孝
FUPET
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四戸 孝
東芝
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西尾 譲司
東芝
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大橋 弘通
産業技術総合研究所
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高尾 和人
東芝
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金井 丈雄
東芝三菱電機産業システム
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高尾 和人
FUPET
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和田 圭二
首都大学東京
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成 慶〓
産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ
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成 慶〓
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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田中 保宣
産総研
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成 慶〓
茨城高専
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中沢 洋介
東芝
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大橋 弘通
産総研
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田中 保宣
独立行政法人産業技術総合研究所
著作論文
- 省エネの切り札--炭化ケイ素スーパショットキーバリアダイオード
- SiC-PiNダイオードとIEGTのハードドライブによる高電圧・大容量変換器の高周波化
- 最近の電力用機器の構造と材料(12)最近のパワーエレクトロニクスデバイスと材料
- SiCハイブリッドペアによる低損失インバータ
- パワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会
- SiCパワーデバイスの動向と展望 (特集 「シリコンカーバイド」がやって来た--実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料)
- 4H-Sic浮遊接合SBD(Super-SBD) (第19回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- SiCパワーデバイス
- SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発動向を紹介 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)
- Sic-PiNダイオードとSi-IEGTのハイブリッドペアによる高周波駆動大電力変換装置
- パワー密度25W/cm^3級All-SiC三相インバータの設計と試作評価
- パワー密度25W/cm^3級 All-SiC 三相インバータの設計と試作評価