パワー密度25W/cm^3級 All-SiC 三相インバータの設計と試作評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-10-27
著者
関連論文
- 省エネの切り札--炭化ケイ素スーパショットキーバリアダイオード
- SiC-PiNダイオードとIEGTのハードドライブによる高電圧・大容量変換器の高周波化
- 最近の電力用機器の構造と材料(12)最近のパワーエレクトロニクスデバイスと材料
- SiCハイブリッドペアによる低損失インバータ
- パワーデバイス高性能化・高機能化技術調査専門委員会
- SiCパワーデバイスの動向と展望 (特集 「シリコンカーバイド」がやって来た--実用化に向け動き出した次世代パワーデバイス材料)
- 4H-Sic浮遊接合SBD(Super-SBD) (第19回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- SiCパワーデバイス
- SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの研究開発動向を紹介 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)
- Sic-PiNダイオードとSi-IEGTのハイブリッドペアによる高周波駆動大電力変換装置
- パワー密度25W/cm^3級All-SiC三相インバータの設計と試作評価
- パワー密度25W/cm^3級 All-SiC 三相インバータの設計と試作評価