大村 一郎 | 東芝セミコンダクター社
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概要
関連著者
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大村 一郎
東芝セミコンダクター社
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大村 一郎
九州工業大学
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大村 一郎
株式会社 東芝
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齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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小倉 常雄
東芝セミコンダクター社
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山口 正一
株式会社 東芝
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山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝
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山口 正一
東芝セミコンダクター社
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土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
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大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
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土門 知一
東芝ビジネス＆ライフサービス
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齋藤 渉
東芝
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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山口 正一
東芝
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齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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大村 一郎
(株)東芝セミコンダクター社
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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大村 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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齋藤 泰伸
東芝
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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附田 正則
東芝
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相田 聡
東芝医用システム社
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新田 智洋
東芝セミコンダクター社
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垣内 頼人
東芝セミコンダクター社
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崎山 陽子
東芝セミコンダクター社
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相田 聡
東芝
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泉沢 優
東芝セミコンダクター社
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池田 佳子
東芝セミコンダクター社
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高田 賢治
東芝セミコンダクター社研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝セミコンダクター社研究開発センター
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津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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上月 繁雄
東芝
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相田 聡
(株)東芝 医用システム社
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崎山 陽子
東芝
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新田 智洋
東芝
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垣内 頼人
東芝
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泉沢 優
東芝
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大橋 弘通
東芝研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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川口 雄介
東芝 セミコンダクター社
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山口 好広
東芝 セミコンダクター社
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池田 佳子
株式会社 東芝
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松下 憲一
(株)東芝
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野田 隆夫
東芝
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津田 邦男
東芝セミコンダクター社研究開発センター
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高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
松下 憲一
東芝
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吉岡 裕典
東芝
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中道 聡
九州工業大学
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藤本 宏海
九州工業大学
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附田 正則
九州工業大学
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匹田 政幸
九工大
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匹田 政幸
九州工業大学
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土門 知一
東芝研究開発センター
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三宅 英太郎
東芝セミコンダクター社
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日吉 道明
東芝セミコンダクター社
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山野 伸明
東芝セミコンダクター社
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池田 佳子
(株)東芝研究開発センター
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谷内 利明
東京理科大学大学院工学研究科
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川口 雄介
東芝セミコンダクター社
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山口 好広
東芝セミコンダクター社
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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山口 好広
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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都鹿野 健一
東芝セミコンダクター社
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小迫 雅裕
九州工業大学
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松本 聡
NTT環境エネルギー研究所
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安達 和広
産業技術総合研究所
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池田 善重
ニチコン(株)
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大橋 弘通
東京工業大学工学部
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谷内 利明
東京理科大学工学部
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安達 和広
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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谷内 利明
東京理科大学
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社
-
斎藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
津田 邦身
東芝セミコンダクター社研究開発センター
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小迫 雅裕
九州工大
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奥村 秀樹
東芝
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池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社
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大橋 弘通
東京工業大学大学院
-
大橋 弘通
東芝
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川神 圭一朗
九州工業大学
-
高濱 健一
九州工業大学
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湯浅 一史
九州工業大学
-
谷村 拓哉
九州工業大学
-
河野 大樹
九州工業大学
-
LEBEY Thierry
ポールサバティエ大学
-
平井 秀敏
九州工業大学院工学府
-
松吉 峻
九州工業大学院工学府
-
大村 一郎
九州工業大学院工学府
著作論文
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 4.5kV-6kA遮断IEGT圧接型パッケージの開発
- マイクロ波測定技術のパワー素子への適用検討 : TDRとネットワークアナライザによる寄生LCRの測定
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シリコンパワーデバイスの現状(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- シリコンパワー素子の現状
- 国際会議レポート : APEC2004
- [特別講演]次々世代CPU用電源(小テーマ:部品・デバイス・材料技術関連)
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- CS-9-4 電源用GaNパワーデバイス(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
- 600V Semi-Superjunction MOSFET
- 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
- パワー半導体技術は持続的発展に貢献するのか
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
- 高耐熱コンタクトプローブを用いたSiCショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性評価用試験装置開発
- 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)