齋藤 渉 | 東芝
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概要
関連著者
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齋藤 渉
東芝
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齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
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齋藤 泰伸
東芝
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大村 一郎
東芝セミコンダクター社
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大村 一郎
九州工業大学
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大村 一郎
株式会社 東芝
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大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
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齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
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相田 聡
東芝
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大野 哲也
東芝
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野田 隆夫
東芝
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吉岡 啓
東芝
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上月 繁雄
東芝
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藤本 英俊
東芝
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泉沢 優
東芝
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山口 正一
東芝セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝セミコンダクター社
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山口 正一
株式会社 東芝
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泉沢 優
東芝セミコンダクター社
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山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
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山口 正一
東芝
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相田 聡
(株)東芝 医用システム社
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小倉 常雄
東芝
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新田 智洋
東芝
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垣内 頼人
東芝
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相田 聡
東芝医用システム社
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新田 智洋
東芝セミコンダクター社
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垣内 頼人
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津田 邦男
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津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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吉岡 裕典
東芝
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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松田 正
東芝
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入船 裕行
東芝
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大田 浩史
東芝
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小野寺 純
東芝
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辻 正敬
東芝
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高野 彰夫
東芝
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角 保人
東芝
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小野 昇太郎
東芝
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杉山 亨
東芝
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仲 敏行
東芝
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大橋 弘通
東芝研究開発センター
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小野 昇太郎
東芝セミコンダクター社
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角 保人
東芝セミコンダクター社
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辻 正敬
東芝セミコンダクター社
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都鹿野 健一
東芝セミコンダクター社
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高野 彰夫
東芝セミコンダクター社
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小野 昇太郎
東芝 セミコンダクター社
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奥村 秀樹
東芝
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大橋 弘通
東芝
著作論文
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント
- 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
- 600V Semi-Superjunction MOSFET
- 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- 高耐圧MOSFETのスイッチング損失-ノイズトレードオフ改善
- スーパージャンクションMOSFETのゲート制御性改善
- スーパージャンクションMOSFETのゲート制御性改善
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- 高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性
- 高耐圧MOSFETのスイッチング損失-ノイズトレードオフ改善
- 高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性