大村 一郎 | 東芝 セミコンダクター社
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概要
関連著者
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大村 一郎
九州工業大学
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大村 一郎
株式会社 東芝
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大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝
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大村 一郎
東芝セミコンダクター社
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齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
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齋藤 渉
東芝
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山口 正一
東芝セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝セミコンダクター社
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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山口 正一
株式会社 東芝
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山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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山口 正一
東芝
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
齋藤 渉
東芝 セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝 セミコンダクター社
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相田 聡
東芝医用システム社
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齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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相田 聡
東芝
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泉沢 優
東芝セミコンダクター社
-
上月 繁雄
東芝
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相田 聡
(株)東芝 医用システム社
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齋藤 泰伸
東芝
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泉沢 優
東芝
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崎山 陽子
東芝セミコンダクター社
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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松下 憲一
(株)東芝
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野田 隆夫
東芝
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附田 正則
東芝
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松下 憲一
東芝
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吉岡 裕典
東芝
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崎山 陽子
東芝
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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新田 智洋
東芝セミコンダクター社
-
垣内 頼人
東芝セミコンダクター社
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大橋 弘通
東芝研究開発センター
-
都鹿野 健一
東芝セミコンダクター社
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高田 賢治
東芝 研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝 研究開発センター
-
津田 邦男
東芝 研究開発センター
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奥村 秀樹
東芝
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新田 智洋
東芝
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大橋 弘通
東芝
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垣内 頼人
東芝
著作論文
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
- 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
- 600V Semi-Superjunction MOSFET
- 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化