Tsuda Kunio | Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
増田 和俊
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
-
増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
-
増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
大村 一郎
九州工業大学
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高塚 眞治
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
大村 一郎
東芝セミコンダクター社
-
柏原 康
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
松下 景一
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
松下 景一
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
柏原 康
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
鈴木 隆
東芝研究開発センター
-
高木 一考
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
-
桜井 博幸
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
鈴木 拓馬
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
-
小倉 常雄
東芝
-
土門 知一
東芝ビジネス＆ライフサービス
-
齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
-
山口 正一
東芝セミコンダクター社
-
小野寺 賢
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
山口 正一
株式会社 東芝
-
山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
-
土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
-
津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
高田 賢治
(株)東芝 研究開発センター
-
津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
齋藤 泰伸
東芝
-
沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
Masuda Kazutoshi
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
-
Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
佐々木 忠寛
(株)東芝研究開発センター
-
蔵口 雅彦
(株)東芝 研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝 研究開発センター
-
高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社 小向工場 マイクロ波技術部
-
佐々木 忠寛
(株)東芝 研究開発センター
-
新田 智洋
東芝セミコンダクター社
-
垣内 頼人
東芝セミコンダクター社
-
小倉 常雄
東芝セミコンダクター社
-
寺本 信一郎
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
Suzuki Takashi
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
高木 重徳
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
松下 景一
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高塚 眞治
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
鈴木 拓馬
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
川崎 久夫
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
齋藤 渉
東芝
-
齋藤 渉
東芝 セミコンダクター社
-
小倉 常雄
東芝 セミコンダクター社
-
高田 賢治
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
山口 正一
東芝
-
新田 智洋
東芝
-
垣内 頼人
東芝
-
野田 隆夫
東芝
-
津田 邦男
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
高木 一孝
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
Teramoto J.
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
-
湯元 美樹
東芝研究開発センター
-
高田 賢治
東芝 研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝 研究開発センター
-
津田 邦男
東芝 研究開発センター
-
斎藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
津田 邦身
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
高木 一考
(株)東芝
-
松下 景一
(株)東芝社会システム社
-
TAKADA Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
SAKURAI Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
-
MATSUSHITA Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
-
SUZUKI Takashi
Toshiba Corporation
-
Teramoto J.
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
沈 正七
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
著作論文
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- CS-9-4 電源用GaNパワーデバイス(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-band AlGaN/GaN HEMTs with 170W Output Power
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)