Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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近年、通信用途としてKa帯AlGaN/GaNデバイスの期待が高まってきている。今回われわれは動作周波数26GHzにおけるAlGaN/GaN HEMT高出力デバイスの開発をした。エピタキシャル構造とゲート長について検討し、素子性能として最大発振周波数(fmax) 138GHzを得た。また総ゲート幅6.4mmの電力素子に整合をとりVds=30Vにおいて出力20Wを小信号利得6.7dB、電力付加効率18.5%を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-06
著者
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
柏原 康
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
松下 景一
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
小野寺 賢
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
-
Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
-
高木 一孝
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
松下 景一
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
柏原 康
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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