InP-HEMTを用いた30GHz帯低雑音増幅器
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概要
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本報告はInAlAs, InGaAs/InP-based HEMT(InP-HEMT)を用いた30GHz帯低雑音増幅器について述べている。HEMTの高性能化に加え、導波管アイソレータ、導波管-MIC変換部等受動回路部の低損失化をはかった。その結果、周波数28.5GHz、帯域1.5GHzにわたり、NF1.8dB以下、利得35dB±0.5dB、入出力VSWR1.2以下と良好な特性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-19
著者
-
川崎 久夫
株式会社東芝 小向工場
-
柏原 康
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
久田 安正
宇宙開発事業団
-
徳田 博邦
(株)東芝小向工場
-
手蓑 隆二
宇宙開発事業団
-
徳田 博邦
東芝 小向工場
-
吉永 浩之
東芝 マイクロエレクトロニクスセ
-
柏原 康
東芝小向工場
-
吉永 浩之
東芝小向工場
-
安部 文一朗
東芝小向工場
-
紫田 清裕
東芝小向工場
-
川崎 久夫
東芝小向工場
-
徳田 博邦
東芝小向工場
-
吉永 治之
株式会社東芝小向工場
-
久田 安正
宇宙開発事業団 技術研究本部 要素技術研究部
-
安部 文一朗
株式会社東芝小向工場
-
紫田 清裕
株式会社東芝小向工場
-
柏原 康
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
柴田 清裕
株式会社東芝
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