K帯高効率イオン注入型FET
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概要
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近年、マイクロ波電力素子の高効率化が望まれ、この要求に対してpseudomorphic-HEMTなどのヘテロ構造を用いた電力素子の試作報告が多く成されている。今回、デバイス構造の最適化を図り、K帯イオン注入型電力FETを試作し、周波数23GHzにおいて電力付加効率(PAE)43%を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
前田 美樹
株式会社 東芝 小向工場
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前田 美樹
(株)東芝小向工場
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徳田 博邦
(株)東芝小向工場
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徳田 博邦
東芝 小向工場
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徳田 博邦
(株)東芝 小向工場
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荒井 重光
(株)東芝小向工場
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荒井 重光
株式会社東芝小向工場
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荒井 重光
東芝 小向工場
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荒井 重光
(株)東芝 小向工場
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