GaAs基板上InAlAs/InGaAs HEMT
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概要
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マイクロ波、ミリ波帯低雑音HEMTの高性能化のため、InP基板上のInAlAs/InGaAs HEMTの開発が進められており、我々も前回ミリ波帯で良好な特性が得られたことを報告した。しかしながら、 InP基板が高価で脆い、またビアホール形成が困難といったデバイスプロセス上の問題点も少なくない。そこで、GaAs基板上に格子定数の異なるInAlAs/InGaAs HEMTを形成する試みが、1980年代より行われている。我々は、バッファ層の成長条件に注目し、GaAs基板上にInAlAs/InGaAs HEMTを形成し、試作評価を行った。その結果300nmという薄いバッファ層を用いたInAlAs /InGaAs HEMTで、f=18GHzにおいてNF=0.48dB、Ga=14.2dBの良好な性能を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
川崎 久夫
株式会社東芝 小向工場
-
佐々木 文雄
(株)東芝セミコンダクター社
-
徳田 博邦
(株)東芝小向工場
-
佐々木 文雄
東芝
-
葛原 徹
(株)東芝 小向工場
-
徳田 博邦
東芝 小向工場
-
徳田 博邦
(株)東芝 小向工場
-
川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
-
川野 充郎
(株)東芝 小向工場
-
川野 充郎
(株)東芝 マイクロ波事業開発部
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