1.9GHz3V動作高率低歪CaAsFET
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概要
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PHS用をはじめとして、移動体通信端末用電力増幅器の開発が活発化している。これら電力増幅器に用いるGaAsFETには、低電圧・高効率動作および低歪性が要求されている。今回、試作したGaAsFETにおいて、ドレイン電圧3V動作で、ドレイン効率50%の良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
前田 美樹
株式会社 東芝 小向工場
-
桜井 博幸
(株)東芝小向工場
-
前田 美樹
(株)東芝小向工場
-
宮内 正義
(株)東芝小向工場
-
上橋 進
(株)東芝小向工場
-
徳田 博邦
(株)東芝小向工場
-
猫塚 克行
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
片岡 茂
(株)東芝多摩川工場
-
上橋 進
株式会社 東芝 小向工場
-
徳田 博邦
東芝 小向工場
-
徳田 博邦
(株)東芝 小向工場
-
上橋 進
(株)東芝 マイクロ波事業開発部
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