73%付加効率X帯電力HEMT
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概要
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近年、マイクロ波通信システムの発達に伴い、より高出力、高効率な電力増幅素子が求められている。そのため電力増幅素子として高効率動作力が可能なヘテロ接合デバイス(HFET、HEMT、HBT)の開発が盛んに行われている。今回、我々は歪格子型ダブルヘテロHEMT(DH-P-HEMT)を用いたゲート幅(Wg)600μmの電力増幅素子を試作し、X帯において出力電力24.7dBm(490mW/mm)、電力利得13.0dB、電力付加効率(η_<add>)73%の良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
千住 智博
(株)東芝セミコンダクター社
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前田 美樹
株式会社 東芝 小向工場
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前田 美樹
(株)東芝小向工場
-
徳田 博邦
(株)東芝小向工場
-
徳田 博邦
東芝 小向工場
-
徳田 博邦
(株)東芝 小向工場
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千住 智博
(株)東芝小向工場
-
荒井 重光
(株)東芝小向工場
-
石丸 淳
(株)東芝小向工場
-
荒井 重光
株式会社東芝小向工場
-
荒井 重光
東芝 小向工場
-
荒井 重光
(株)東芝 小向工場
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