ミリ波低雑音InAlAs/InGaAs歪格子型HEMT
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々はミリ波帯低雑音HEMTの高性能化を図るために、InP基板上のInAlAs/InGaAs HEMTの開発を進めてきた。高性能化に必要となる高いシートキャリア濃度(Ns)と移動度(μ)を得るためには、InGaAsチャネルのIn組成、Siプレーナドープ量、InAlAsスペーサ層厚が重要なパラメータとなる。今回我々はこれらパラメータのうち、特にInGaAsチャネル層のIn組成に着目して最適化を行ない、HEMTを試作した。その結果、f=57GHzにおいて雑音指数(NF)が、0.9dBの良好な性能を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
佐々木 文雄
株式会社東芝 小向工場
-
川崎 久夫
株式会社東芝 小向工場
-
徳田 博邦
株式会社東芝 小向工場
-
徳田 博邦
(株)東芝小向工場
-
佐々木 文雄
東芝
-
徳田 博邦
東芝 小向工場
-
川野 充郎
株式会社東芝小向工場
-
川野 充郎
(株)東芝 マイクロ波事業開発部
関連論文
- W帯SPSTトランジスタスイッチ
- 1.9GHz3V動作高率低歪CaAsFET
- 73%付加効率X帯電力HEMT
- 電気学会調査専門委員会「ミリ波技術とそのインテグレイションと展開」活動概要
- 電気学会調査専門委員会 : ミリ波技術とそのインテグレイションと展開
- 電気学会調査専門委員会 : ミリ波技術とそのインテグレイションと展開活動概要
- K帯モノリシック電力増幅器
- 自己バイアス型12/24GHz周波数逓倍器MMIC
- InP-HEMTを用いた30GHz帯低雑音増幅器
- InP-HEMTを用いた30GHz帯低雑音増幅器
- GaAs基板上InAlAs/InGaAs HEMT
- ミリ波帯InP系HEMT
- ミリ波低雑音InAlAs/InGaAs歪格子型HEMT
- W帯低雑音MMIC増幅器
- ミリ波低雑音および電力HEMT (個別半導体・CCD)
- マッシュル-ム型ゲ-ト低雑音HEMT
- C-2-20 超広帯域GaAs PINダイオードSPSTスイッチ
- Ka帯GaAs PINダイオードMMIC SPDTスイッチ
- C-2-31 35GHz帯 5ビットGaAs PINダイオードMMIC移相器
- C-2-39 Ka帯低損失、高耐電力GaAs PINダイオードMMIC移相器
- Ka帯モノリシックGaAs PINダイオード
- 21GHz帯4ビットMMIC移相器
- 低損失GaAs PINダイオードを用いた広帯域SPSTスイッチ
- 低損失GaAs PINダイオードを用いた広帯域SPSTスイッチ
- 低損失GaAs PINダイオードを用いた広帯域SPSTスイッチ
- K帯高効率イオン注入型FET
- 4.2 ミリ波を用いたシステムとミリ波デバイスの技術動向 : 4. ミリ波デバイスの開発動向 : 大型装置計測のためのミリ波技術の開発
- ミリ波デバイスと回路および応用 VII.ミリ波HEMTの現状と今後の技術動向
- マイクロ波半導体用結晶成長技術 (マイクロ波通信用半導体)
- MICかMMICか
- MICかMMICか Which is better, MIC or MMIC?