低損失GaAs PINダイオードを用いた広帯域SPSTスイッチ
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概要
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近年、ミリ波通信システムの活発化によりシステム内で使用する部品のうち、キーデバイスであるスイッチの低損失化、高アイソレーション化が要求されている。GaAs PINダイオードは、ミリ波帯において低損失特性をもつデバイスとして期待されている。 本論文では、低損失GaAs PINダイオードを用いた広帯域1入力1出力(Single-pole, Single-Throw;SPST)スイッチの設計と特性について述べている。GaAs PINダイオードの諸特性を解析し、等価回路パラメータの振る舞いについて詳細に分析し、この結果をもとにSPSTスイッチを設計、試作している。試作結果、10GHzから50GHzにわたり挿入損1.0dB以下、アイソレーション30dB以上の良好な特性を得ている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-11
著者
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高須 英樹
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
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高須 英樹
(株)東芝 社会インフラシステム社小向工場
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高須 英樹
(株)東芝情報・社会システム社小向工場
-
佐々木 文雄
(株)東芝セミコンダクター社
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佐々木 文雄
東芝
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