ミリ波帯InP系HEMT
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概要
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InP基板上に形成したInAlAs/InGaAsヘテロ接合は、マイクロ波およびミリ波帯デバイスとして高性能化を図る上で優れた材料特性を有しており、盛んに開発が進められている。近年、12GHzから上の周波数で報告されている雑音指数の最高性能は、すべてInP-HEMTで占められ、通信機器への応用も活発化している。ここでは、我々が開発を進めているミリ波InP-HEMTの試作評価結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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