高精度非線形FETモデル
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年、携帯電話をはじめとする移動体通信や衛星放送の急速な普及に伴い、GaAs FETを用いたMMICの需要が高まってきている。MMICの設計には高精度な高周波回路シミュレーションが不可欠であり、特に低電圧・高効率動作への要求が高まっている電力増幅器等の設計には大信号時の等価回路モデルの精度が重要となる。しかし、従来のFETモデルでは実測値を精度よく表現できなかったため、シミュレーションによる商性能MMICの設計に限界があった。今回、Statz/RaytheonモデルをベースにGaAs FETの非線形モデルを改良することにより、実測との一致が大幅に改善され、回路シミュレーションの精度が向上したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
関連論文
- W帯SPSTトランジスタスイッチ
- C-2-52 バスタブ構造を有するパワーFETの熱特性解析
- 1.9GHz3V動作高率低歪CaAsFET
- C-2-37 S帯BFN用MMIC移相器モジュール
- K帯モノリシック電力増幅器
- 自己バイアス型12/24GHz周波数逓倍器MMIC
- 高周波メタルパッケージの空洞共振周波数に対する仕切板の効果
- C-2-20 超広帯域GaAs PINダイオードSPSTスイッチ
- Ka帯GaAs PINダイオードMMIC SPDTスイッチ
- 中和キャパシタ装荷型マイクロストリップ電力合成回路
- 中和キャパシタ装荷型マイクロストリップ電力合成回路
- C-2-39 Ka帯低損失、高耐電力GaAs PINダイオードMMIC移相器
- Ka帯モノリシックGaAs PINダイオード
- 21GHz帯4ビットMMIC移相器
- フェーズドアレイアンテナ用マイクロ波移相器
- 高精度非線形FETモデル
- C-2-13 局発アンプ内蔵K帯ダイオード偶高調波ミキサMMIC
- モノリシックマイクロ波IC (マイクロ波通信用半導体)