X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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我々はX帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMTをコンベンショナルなCuパッケージに実装した素子において、9.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(V_<ds>)30Vにて、最大出力39.8W(46.0dBm)を得た。この時の線形利得(GL)は8.7dB,電力付加効率(PAE)は28.4%である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
柏原 康
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
松下 景一
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
高塚 眞治
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
-
Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
松下 景一
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
柏原 康
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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