SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待されている。AlGaN/GaN HEMTは高温、高電圧で動作するため、SiC基板はGaNとの格子整合や熱伝導性を考慮するとAlGaN/GaN HEMTデバイスの材料特性に優れている。今回、SiC基板上にデバイスを形成し、デバイス特性のSiC基板のオフ角度依存性について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-04
著者
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
Teramoto J.
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
-
沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
-
Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社 小向工場 マイクロ波技術部
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Teramoto J.
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
沈 正七
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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