AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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GaN系電子デバイスにおいて特性向上を図るため、ゲートリセス構造が有望である。窒化物半導体ではウエットエッチングによる精密なエッチングが難しいため、リセス構造形成のためには低ダメージなドライエッチング技術が求められる。本研究では、BCl_3とCl_2の混合ガスを用いたICP-RIEにより、エッチングの低ダメージ化を検討した。その結果、BCl_3とCl_2の混合ガスにより低バイアスパワーで表面モフォロジーが維持できることが分かった。また、表面モフォロジーが維持できる範囲内では、Cl_2/BCl_3比を高くすることでAlGaNを効率よくエッチングができ、BとClの半導体層への侵入量を抑制できることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-04
著者
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
湯元 美樹
東芝研究開発センター
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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