蔵口 雅彦 | 東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
鈴木 隆
東芝研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
高塚 眞治
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
松下 景一
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高塚 眞治
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
鈴木 拓馬
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
川崎 久夫
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
鈴木 拓馬
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
-
Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
-
Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
大村 一郎
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
九州工業大学
-
齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
-
山口 正一
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
山口 正一
株式会社 東芝
-
山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
-
齋藤 渉
東芝
-
野田 隆夫
東芝
-
大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
-
高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
山口 正一
東芝
-
齋藤 泰伸
東芝
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
湯元 美樹
東芝研究開発センター
著作論文
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))