山口 正一 | 東芝セミコンダクター社

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概要

• 同名の論文著者
• 東芝セミコンダクター社の論文著者

関連著者

• 山口 正一

  東芝セミコンダクター社

• 山口 正一

  株式会社 東芝

• 山口 正一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  九州工業大学

• 齋藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  株式会社 東芝

• 山口 正一

  東芝

• 大村 一郎

  東芝 セミコンダクター社

• 齋藤 泰伸

  東芝セミコンダクター社

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 齋藤 泰伸

  東芝

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• 齋藤 渉

  東芝

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 土門 知一

  東芝ビジネス＆ライフサービス

• 新田 智洋

  東芝セミコンダクター社

• 垣内 頼人

  東芝セミコンダクター社

• 崎山 陽子

  東芝セミコンダクター社

• 小倉 常雄

  東芝セミコンダクター社

• 小野 昇太郎

  東芝セミコンダクター社

• 泉沢 優

  東芝セミコンダクター社

• 来島 正一郎

  東芝セミコンダクター社

• 都鹿野 健一

  東芝セミコンダクター社

• 土門 知一

  東芝ビジネス&ライフサービス

• 津田 邦男

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 附田 正則

  東芝

• 崎山 陽子

  東芝

• 小倉 常雄

  東芝

• 新田 智洋

  東芝

• 垣内 頼人

  東芝

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 角 保人

  東芝セミコンダクター社

• 辻 正敬

  東芝セミコンダクター社

• 松下 憲一

  (株)東芝

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• 野田 隆夫

  東芝

• 高田 賢治

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 松下 憲一

  東芝

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 角 保人

  東芝

• 相田 聡

  東芝医用システム社

• 相田 聡

  東芝

• 川口 雄介

  東芝 セミコンダクター社

• 山口 好広

  東芝 セミコンダクター社

• 川口 雄介

  東芝セミコンダクター社

• 山口 好広

  東芝セミコンダクター社

• 池田 佳子

  株式会社 東芝

• 池田 佳子

  東芝セミコンダクター社

• 西脇 克彦

  トヨタ自動車(株)

• 三角 忠司

  トヨタ自動車

• 中垣 真治

  トヨタ自動車

• 平原 文雄

  東芝セミコンダクター社

• 二宮 英彰

  東芝

• 高下 正勝

  東芝セミコンダクター社

• 上月 繁雄

  東芝

• 吉岡 裕典

  東芝

• 奥村 秀樹

  東芝

• 相田 聡

  (株)東芝 医用システム社

• 中垣 真治

  トヨタ自動車株式会社

• 泉沢 優

  東芝

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著作論文

• 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性
• 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
• 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
• 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
• Heイオン照射を用いたPiNダイオードにおけるダイナミックアバランシェ現象の解析
• 波形振動を抑制する高耐圧ダイオードのダイナミック・パンチスルー設計
• 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
• EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
• ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
• FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
• 600V Semi SJ-MOSFET のnバッファ層最適設計
• 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET

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