川口 雄介 | 東芝 セミコンダクター社
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概要
関連著者
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川口 雄介
東芝 セミコンダクター社
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中川 明夫
東芝 セミコンダクター社
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中川 明夫
(株)東芝
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山口 好広
東芝 セミコンダクター社
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小野 昇太郎
東芝セミコンダクター社
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小野 昇太郎
東芝 セミコンダクター社
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社
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大村 一郎
九州工業大学
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土門 知一
東芝ビジネス＆ライフサービス
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大村 一郎
株式会社 東芝
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川口 雄介
東芝セミコンダクター社
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山口 好広
東芝セミコンダクター社
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土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
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大村 一郎
東芝セミコンダクター社
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川口 雄介
株式会社 東芝
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蟹江 創造
東芝インフォメーションシステムズ
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馬場 敦子
東芝インフォメーションシステムズ
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中川 明夫
東芝セミコンダクター社
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池田 佳子
株式会社 東芝
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山口 正一
株式会社 東芝
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山口 好広
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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馬場 敦子
東芝インフォメーションシステムズ株式会社
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山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
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池田 佳子
東芝セミコンダクター社
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中村 和敏
(株)東芝
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秋山 誠和子
東芝 セミコンダクター社
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川野 友広
東芝 セミコンダクター社
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武井 洋
東芝 セミコンダクター社
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中川 明夫
東芝
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小野 昇太郎
東芝
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山口 正一
東芝セミコンダクター社
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山口 好広
株式会社 東芝
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小野 昇太郎
株式会社 東芝
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池田 佳子
(株)東芝研究開発センター
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中村 和敏
株式会社 東芝
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安原 紀夫
株式会社 東芝
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中川 明夫
株式会社 東芝
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安原 紀夫
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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川口 雄介
セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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中村 和敏
セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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唐牛 久美子
セミコンダクター社システムLSI事業部
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渡辺 君則
セミコンダクター社システムLSI事業部
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久保田 敏郎
セミコンダクター社システムLSI事業部
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八幡 彰博
株式会社 東芝 個別半導体基盤技術ラボラトリー
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舟木 英之
株式会社 東芝
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舟木 英之
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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寺崎 仁規
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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安原 紀夫
(株)東芝
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松田 昇
東芝セミコンダクター社
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高野 彰夫
東芝セミコンダクター社
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秋山 誠和子
東芝セミコンダクター社
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中川 明夫
セミコンダクター社
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佐野 剛史
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社
著作論文
- SB-5-3 DC-DCコンバータ用高速パワーMOSFET技術(SB-5. 電子通信機器用電源の小型・高効率・分散化技術の現状と動向)
- VRM開発用マイクロ電流プローブ : 高dI/dt(≧2000A/μsec)逆回復動作の測定
- DC-DCコンバータ高効率化方法とSi物性で制限される限界効率
- DC-DCコンバータ高効率化方法とSi物性で制限される限界効率(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- BiCD技術における Adaptive Resurf の役割と微細化に向けた課題
- 4500VマルチリサーフMOSFETのシミュレーションによる特性予測
- 高耐圧60V SOI DMOSFET
- DC-DCコンバータ用30V系微細ショットキー内蔵トレンチMOSFET
- フローティングP構造低耐圧 Trench MOSFET のシミュレーションによるスイッチング特性解析
- 微細トレンチを用いた超低オン抵抗MOSFET
- SuperJunction 構造MOSFETのリバースリカバリ特性シミュレーション
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- DC-DCコンバータの高効率化設計と将来予測
- 電源用パワーデバイスの技術動向
- 寄生インダクタンスを低減した次世代電源用マルチチップモジュール
- 20Vおよび8V系超低オン抵抗横型トレンチMOSFET
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 2-3年後のCPU電源は150A、1Vと言われている。これを実現するMOSFET技術を中心として解説する 低電圧大電流電源を支えるMOSFETの技術動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)