20Vおよび8V系超低オン抵抗横型トレンチMOSFET
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概要
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8V系および20V系の新構造パワーMOSFETについて報告する。このMOSFETはソース・ドレイン間に複数の微細なトレンチゲートを形成し、その側壁をチャネルとして利用する3次元構造にしている。この新構造デバイスは標準的なCMOSプロセスにトレンチ形成プロセスを追加するだけで作製することができる。試作した素子は、それぞれ耐圧11V、25Vに対し、オン抵抗5mΩ・mm~2, 13mΩ・mm~2を達成した。この値は既発表データと比較して最も低いオン抵抗である。また、オン抵抗はトレンチ側壁の平滑プロセスの最適化によりさらに低減されることが予想される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-13
著者
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中川 明夫
東芝 セミコンダクター社
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中川 明夫
(株)東芝
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川口 雄介
東芝 セミコンダクター社
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社
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佐野 剛史
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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