中川 明夫 | 東芝 セミコンダクター社

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概要

• 同名の論文著者
• 東芝 セミコンダクター社の論文著者

関連著者

• 中川 明夫

  東芝 セミコンダクター社

• 中川 明夫

  (株)東芝

• 川口 雄介

  東芝 セミコンダクター社

• 山口 好広

  東芝 セミコンダクター社

• 安原 紀夫

  株式会社 東芝

• 中川 明夫

  株式会社 東芝

• 舟木 英之

  株式会社 東芝

• 小野 昇太郎

  東芝セミコンダクター社

• 安原 紀夫

  (株)東芝

• 中村 和敏

  (株)東芝

• 小野 昇太郎

  東芝 セミコンダクター社

• 中村 和敏

  株式会社 東芝

• 鈴木 史人

  株式会社 東芝

• 川口 雄介

  (株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 舟木 英之

  (株)東芝 先端半導体デバイス研究所

• 川口 雄介

  (株)東芝セミコンダクター社

• 安原 紀夫

  (株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 平山 敬三

  (株)東芝 先端半導体デバイス研究所

• 山口 好広

  (株)東芝 先端半導体デバイス研究所

• 仲 敏行

  (株)東芝

• 松下 憲一

  (株)東芝

• 末代 知子

  (株)東芝

• 川野 友広

  東芝 セミコンダクター社

• 蟹江 創造

  東芝インフォメーションシステムズ

• 馬場 敦子

  東芝インフォメーションシステムズ

• 川口 雄介

  東芝セミコンダクター社

• 山口 好広

  東芝セミコンダクター社

• 中川 明夫

  東芝セミコンダクター社

• 松下 憲一

  株式会社 東芝

• 仲 敏行

  株式会社 東芝

• 遠藤 幸一

  株式会社 東芝

• 末代 知子

  (株)東芝 材料・デバイス研究所

• 馬場 敦子

  東芝インフォメーションシステムズ株式会社

• 秋山 誠和子

  東芝 セミコンダクター社

• 武井 洋

  東芝 セミコンダクター社

• 中川 明夫

  東芝

• 小野 昇太郎

  東芝

• 山口 好広

  株式会社 東芝

• 川口 雄介

  株式会社 東芝

• 高木 洋介

  株式会社 東芝

• 池田 佳子

  株式会社 東芝

• 高橋 守郎

  株式会社 東芝

• 山口 正一

  株式会社 東芝

• 末代 知子

  株式会社 東芝

• 陳 少勤

  株式会社 東芝

• 新井 晴輝

  株式会社 東芝

• 佐藤 久美子

  株式会社 東芝

• 川野 友広

  株式会社 東芝

• 高橋 一郎

  株式会社 東芝

• 大沢 靖男

  株式会社 東芝

• 川口 雄介

  セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 中村 和敏

  セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 唐牛 久美子

  セミコンダクター社システムLSI事業部

• 渡辺 君則

  セミコンダクター社システムLSI事業部

• 久保田 敏郎

  セミコンダクター社システムLSI事業部

• 八幡 彰博

  株式会社 東芝 個別半導体基盤技術ラボラトリー

• 山口 好弘

  株式会社 東芝

• 平山 敬三

  株式会社 東芝 材料・デバイス研究所

• 寺崎 仁規

  (株)東芝 材料・デバイス研究所

• 山口 正一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 池田 佳子

  東芝セミコンダクター社

• 松田 昇

  東芝セミコンダクター社

• 高野 彰夫

  東芝セミコンダクター社

• 秋山 誠和子

  東芝セミコンダクター社

• 中川 明夫

  セミコンダクター社

• 佐野 剛史

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部

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著作論文

• SB-5-3 DC-DCコンバータ用高速パワーMOSFET技術(SB-5. 電子通信機器用電源の小型・高効率・分散化技術の現状と動向)
• DC-DCコンバータ高効率化方法とSi物性で制限される限界効率
• DC-DCコンバータ高効率化方法とSi物性で制限される限界効率(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
• バンプ接続を用いた12V入力10A級 1chip DC-DC コンバータ
• CMOSプロセスにおける5V系パワーデバイスのホットキャリア耐量の改善
• フルCMOS, 低コストSOIワンチップインバータIC
• BiCD技術における Adaptive Resurf の役割と微細化に向けた課題
• 4500VマルチリサーフMOSFETのシミュレーションによる特性予測
• 500V3AワンチップインバータIC用横型IGBTの特性向上
• SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性
• 横型SOI高速ダイオードの逆回復特性
• SIPOS膜を用いた新構造高耐圧SOI素子
• SOIマルチ・チャンネルIGBTの電気特性
• 高耐圧60V SOI DMOSFET
• 新しいトリガー構造を有するLDMOS向けESD保護素子の開発
• DC-DCコンバータ用30V系微細ショットキー内蔵トレンチMOSFET
• フローティングP構造低耐圧 Trench MOSFET のシミュレーションによるスイッチング特性解析
• 微細トレンチを用いた超低オン抵抗MOSFET
• SuperJunction 構造MOSFETのリバースリカバリ特性シミュレーション
• DC-DCコンバータの高効率化設計と将来予測
• 電源用パワーデバイスの技術動向
• 寄生インダクタンスを低減した次世代電源用マルチチップモジュール
• 20Vおよび8V系超低オン抵抗横型トレンチMOSFET
• 2-3年後のCPU電源は150A、1Vと言われている。これを実現するMOSFET技術を中心として解説する 低電圧大電流電源を支えるMOSFETの技術動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)

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