横型SOI高速ダイオードの逆回復特性
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概要
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SOIダイオードの逆回復時間は1チップインバータICのパワー損失の低減の上で重要である。そこで、ダイオードのアノード構造を変えてpエミッタからのホールの注入効率を低減させることにより逆回復時間を速くしたSOIダイオードを3種類提案した。その中で最も効果的であったのは、p型層にp+層を部分的に設け、p-ショットキーとオーミックを同時に形成したアノード構造(p-/p+ diode)のダイオード素子で逆回復時間200ns以下で逆回復耐量3A以上の逆回復特性を得ることができた。これにより、パワー損失の少ない1チップインバータICの実現の見通しが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-19
著者
-
中川 明夫
東芝 セミコンダクター社
-
中川 明夫
(株)東芝
-
山口 好広
東芝 セミコンダクター社
-
舟木 英之
株式会社 東芝
-
平山 敬三
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
山口 好広
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
舟木 英之
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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