SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性
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概要
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シリコン層と埋め込み酸化膜の間にSIPOS (Semi-insulating Poly-crystalline Silicon)膜を挟んだSOl基板に、ダイオードとn-ch MOSFETを試作し、その電気特性を調べた。シリコン層の厚さ5μm、SIPOS膜の厚さ1.5μm、埋め込み酸化膜の厚さ3μmであるSOl基板を用いることで、1200V以上のブレークダウン電圧特性を持つダイオードをとn-ch MOSFETを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-10
著者
-
中川 明夫
東芝 セミコンダクター社
-
中川 明夫
(株)東芝
-
山口 好広
東芝 セミコンダクター社
-
舟木 英之
株式会社 東芝
-
平山 敬三
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
山口 好広
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
舟木 英之
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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