5000V高耐圧超薄膜SOI素子の数値解析
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概要
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SOI層の厚さが0.1μm程度まで薄くなると素子の耐圧は縦方向ではなく、横方向の構造により決定されるので、高耐圧パワーICの候補となりうる。そして、この耐圧は横方向の不純物濃度分布により決定される。S.Merchant等は直線的な不純物濃度分布を用いて860Vの耐圧を得ている。今回、2次元の数値解析により5000V耐圧の横型素子に対する理想的なプロファイルを求めたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
中川 明夫
(株)東芝
-
舟木 英之
株式会社 東芝
-
舟木 英之
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
大村 一郎
(株)東芝セミコンダクター社
-
中川 明夫
(株)東芝 研究開発センター
-
中川 明夫
東芝 研開セ
-
大村 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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