SIPOS膜を用いた新構造高耐圧SOI素子
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概要
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従来のSOI素子の降伏電圧は、シリコン層の厚さと埋め込み酸化膜の厚さで制限されていた。新しい構造のSOI基板と素子は、SOIシリコン層と埋め込み酸化膜の間にSIPOS(Semi-Insulating Poly-crystalline Silicon)層を挿入した事が特徴である。この新しい構造のSOI基板と素子は、SIPOS層の基板バイアスのシールド効果により、0.8μmのSIPOS層および0.8μmの埋め込み酸化膜で降伏電圧600Vの高耐圧ダイオード及び横型IGBTを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-14
著者
-
山口 好広
株式会社 東芝
-
中川 明夫
東芝 セミコンダクター社
-
中川 明夫
(株)東芝
-
山口 好広
東芝 セミコンダクター社
-
安原 紀夫
株式会社 東芝
-
中川 明夫
株式会社 東芝
-
舟木 英之
株式会社 東芝
-
平山 敬三
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
平山 敬三
株式会社 東芝 材料・デバイス研究所
-
安原 紀夫
(株)東芝
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