磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-10-30
著者
-
大村 一郎
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
九州工業大学
-
土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
-
山口 正一
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
川口 雄介
東芝 セミコンダクター社
-
山口 好広
東芝 セミコンダクター社
-
川口 雄介
東芝セミコンダクター社
-
山口 好広
東芝セミコンダクター社
-
池田 佳子
株式会社 東芝
-
山口 正一
株式会社 東芝
-
山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
-
池田 佳子
東芝セミコンダクター社
-
土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
関連論文
- SB-5-3 DC-DCコンバータ用高速パワーMOSFET技術(SB-5. 電子通信機器用電源の小型・高効率・分散化技術の現状と動向)
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- VRM開発用マイクロ電流プローブ : 高dI/dt(≧2000A/μsec)逆回復動作の測定
- チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価
- 4.5kV-6kA遮断IEGT圧接型パッケージの開発
- DC-DCコンバータ高効率化方法とSi物性で制限される限界効率
- DC-DCコンバータ高効率化方法とSi物性で制限される限界効率(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- バンプ接続を用いた12V入力10A級 1chip DC-DC コンバータ
- BiCD技術における Adaptive Resurf の役割と微細化に向けた課題
- 4500VマルチリサーフMOSFETのシミュレーションによる特性予測
- SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性
- 横型SOI高速ダイオードの逆回復特性
- SIPOS膜を用いた新構造高耐圧SOI素子
- 高耐圧60V SOI DMOSFET
- 500V-1Aワンチップインバ-タIC
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性
- マイクロ波測定技術のパワー素子への適用検討 : TDRとネットワークアナライザによる寄生LCRの測定
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シリコンパワーデバイスの現状(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- シリコンパワー素子の現状
- 国際会議レポート : APEC2004
- [特別講演]次々世代CPU用電源(小テーマ:部品・デバイス・材料技術関連)
- DC-DCコンバータ用30V系微細ショットキー内蔵トレンチMOSFET
- フローティングP構造低耐圧 Trench MOSFET のシミュレーションによるスイッチング特性解析
- 微細トレンチを用いた超低オン抵抗MOSFET
- SuperJunction 構造MOSFETのリバースリカバリ特性シミュレーション
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- DC-DCコンバータの高効率化設計と将来予測
- 電源用パワーデバイスの技術動向
- 寄生インダクタンスを低減した次世代電源用マルチチップモジュール
- 20Vおよび8V系超低オン抵抗横型トレンチMOSFET
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Heイオン照射を用いたPiNダイオードにおけるダイナミックアバランシェ現象の解析
- 2-3年後のCPU電源は150A、1Vと言われている。これを実現するMOSFET技術を中心として解説する 低電圧大電流電源を支えるMOSFETの技術動向 (特集1 2003年版パワー半導体デバイス活用技術--電源用IC、パワーMOSFET、IGBTからワイドバンドギャップ半導体まで)
- 波形振動を抑制する高耐圧ダイオードのダイナミック・パンチスルー設計
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 600V Semi SJ-MOSFET のnバッファ層最適設計
- 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
- 高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- CS-9-4 電源用GaNパワーデバイス(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
- 600V Semi-Superjunction MOSFET
- 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
- パワー半導体技術は持続的発展に貢献するのか
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
- CT-2-6 パワーデバイスの将来とその役割 : 「Si×WBG」から「Si+WBG」へ(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 高耐熱コンタクトプローブを用いたSiCショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性評価用試験装置開発
- フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
- InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
- 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)
- 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)