山口 正一 | 株式会社 東芝
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概要
関連著者
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山口 正一
株式会社 東芝
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山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
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山口 正一
東芝セミコンダクター社
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大村 一郎
九州工業大学
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大村 一郎
株式会社 東芝
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大村 一郎
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齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
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山口 正一
東芝
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大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
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齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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齋藤 泰伸
東芝
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
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土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
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齋藤 渉
東芝
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小倉 常雄
東芝
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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新田 智洋
東芝セミコンダクター社
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垣内 頼人
東芝セミコンダクター社
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崎山 陽子
東芝セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝セミコンダクター社
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池田 佳子
株式会社 東芝
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小野 昇太郎
東芝セミコンダクター社
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泉沢 優
東芝セミコンダクター社
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来島 正一郎
東芝セミコンダクター社
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都鹿野 健一
東芝セミコンダクター社
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池田 佳子
東芝セミコンダクター社
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松下 憲一
(株)東芝
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津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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附田 正則
東芝
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崎山 陽子
東芝
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新田 智洋
東芝
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垣内 頼人
東芝
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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川口 雄介
東芝 セミコンダクター社
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山口 好広
東芝 セミコンダクター社
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角 保人
東芝セミコンダクター社
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辻 正敬
東芝セミコンダクター社
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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野田 隆夫
東芝
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高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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松下 憲一
東芝
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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角 保人
東芝
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相田 聡
東芝医用システム社
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池田 佳子
(株)東芝研究開発センター
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相田 聡
東芝
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中川 明夫
東芝 セミコンダクター社
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中川 明夫
(株)東芝
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川口 雄介
東芝セミコンダクター社
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山口 好広
東芝セミコンダクター社
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中村 和敏
株式会社 東芝
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松下 憲一
株式会社 東芝
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仲 敏行
株式会社 東芝
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安原 紀夫
株式会社 東芝
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遠藤 幸一
株式会社 東芝
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鈴木 史人
株式会社 東芝
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高橋 守郎
株式会社 東芝
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中川 明夫
株式会社 東芝
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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山口 好広
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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安原 紀夫
(株)東芝
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中村 和敏
(株)東芝
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仲 敏行
(株)東芝
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社
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二宮 英彰
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高下 正勝
東芝セミコンダクター社
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吉岡 裕典
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奥村 秀樹
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浦野 聡
株式会社 東芝
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株式会社 東芝
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(株)東芝 医用システム社
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池田 佳子
(株)東芝セミコンダクター社
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泉沢 優
東芝
著作論文
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- バンプ接続を用いた12V入力10A級 1chip DC-DC コンバータ
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- 波形振動を抑制する高耐圧ダイオードのダイナミック・パンチスルー設計
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
- EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 600V Semi SJ-MOSFET のnバッファ層最適設計
- 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
- 高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT