大村 一郎 | 九州工業大学

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概要

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関連著者

• 大村 一郎

  九州工業大学

• 大村 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  株式会社 東芝

• 齋藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 小倉 常雄

  東芝

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 大村 一郎

  東芝 セミコンダクター社

• 山口 正一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 土門 知一

  東芝ビジネス＆ライフサービス

• 山口 正一

  株式会社 東芝

• 土門 知一

  東芝ビジネス&ライフサービス

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 小倉 常雄

  東芝セミコンダクター社

• 山口 正一

  東芝セミコンダクター社

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 齋藤 渉

  東芝

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 津田 邦男

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 附田 正則

  東芝

• 山口 正一

  東芝

• 齋藤 泰伸

  東芝セミコンダクター社

• 高田 賢治

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 齋藤 泰伸

  東芝

• 齋藤 渉

  東芝 セミコンダクター社

• 小倉 常雄

  東芝 セミコンダクター社

• 中道 聡

  九州工業大学

• 藤本 宏海

  九州工業大学

• 附田 正則

  九州工業大学

• 相田 聡

  東芝医用システム社

• 新田 智洋

  東芝セミコンダクター社

• 垣内 頼人

  東芝セミコンダクター社

• 崎山 陽子

  東芝セミコンダクター社

• 相田 聡

  東芝

• 川口 雄介

  東芝 セミコンダクター社

• 山口 好広

  東芝 セミコンダクター社

• 泉沢 優

  東芝セミコンダクター社

• 高田 賢治

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 上月 繁雄

  東芝

• 相田 聡

  (株)東芝 医用システム社

• 崎山 陽子

  東芝

• 新田 智洋

  東芝

• 垣内 頼人

  東芝

• 泉沢 優

  東芝

• 大橋 弘通

  東芝研究開発センター

• 池田 佳子

  (株)東芝研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 池田 佳子

  株式会社 東芝

• 川口 雄介

  (株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 山口 好広

  (株)東芝 先端半導体デバイス研究所

• 池田 佳子

  東芝セミコンダクター社

• 松下 憲一

  (株)東芝

• 野田 隆夫

  東芝

• 津田 邦男

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 松下 憲一

  東芝

• 吉岡 裕典

  東芝

• 川神 圭一朗

  九州工業大学

• 高濱 健一

  九州工業大学

• 湯浅 一史

  九州工業大学

• 谷村 拓哉

  九州工業大学

• 平井 秀敏

  九州工業大学院工学府

• 松吉 峻

  九州工業大学院工学府

• 匹田 政幸

  九工大

• 匹田 政幸

  九州工業大学

• 池田 佳子

  （株）東芝セミコンダクター社

• 山口 好広

  （株）東芝セミコンダクター社

• 川口 雄介

  （株）東芝セミコンダクター社

• 山口 正一

  （株）東芝セミコンダクター社

• 山口 好広

  株式会社 東芝

• 小野 昇太郎

  株式会社 東芝

• 川口 雄介

  株式会社 東芝

• 附田 正則

  株式会社東芝

• 大村 一郎

  株式会社東芝

• 齋藤 渉

  株式会社東芝

• 小倉 常雄

  株式会社東芝

• 土門 知一

  東芝研究開発センター

• 三宅 英太郎

  東芝セミコンダクター社

• 日吉 道明

  東芝セミコンダクター社

• 山野 伸明

  東芝セミコンダクター社

• 川口 雄介

  東芝セミコンダクター社

• 山口 好広

  東芝セミコンダクター社

• 小野 昇太郎

  東芝セミコンダクター社

• 都鹿野 健一

  東芝セミコンダクター社

• 小迫 雅裕

  九州工業大学

• 小野 昇太郎

  東芝 セミコンダクター社

• 川口 雄介

  (株)東芝セミコンダクター社

• 高田 賢治

  東芝 研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝 研究開発センター

• 津田 邦男

  東芝 研究開発センター

• 斎藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 津田 邦身

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 小迫 雅裕

  九州工大

• 大村 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 奥村 秀樹

  東芝

• 浦野 聡

  株式会社 東芝

• 小倉 常雄

  株式会社 東芝

• 池田 佳子

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大橋 弘通

  東芝

• 河野 大樹

  九州工業大学

• LEBEY Thierry

  ポールサバティエ大学

• 大村 一郎

  九州工業大学院工学府

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著作論文

• 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
• 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
• GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• VRM開発用マイクロ電流プローブ : 高dI/dt(≧2000A/μsec)逆回復動作の測定
• チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価
• 4.5kV-6kA遮断IEGT圧接型パッケージの開発
• 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
• 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
• 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
• 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
• 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
• 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
• EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
• FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
• 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
• 高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT
• GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
• CS-9-4 電源用GaNパワーデバイス(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
• 600V Semi-Superjunction MOSFET
• 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
• パワー半導体技術は持続的発展に貢献するのか
• InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
• フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
• InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
• PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
• CT-2-6 パワーデバイスの将来とその役割 : 「Si×WBG」から「Si+WBG」へ(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• 高耐熱コンタクトプローブを用いたSiCショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性評価用試験装置開発
• フルデジタル回路によるIGBTの高速短絡保護
• InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
• PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討
• InAs赤外線センサを用いたパワー半導体チップ用高速温度測定技術についての検討
• 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)
• 高耐圧パワー・デバイス用スケールダウン・テストベッドの開発(エネルギー変換技術,電池関連技術,一般)

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