大村 一郎 | (株)東芝 研究開発センター

スポンサーリンク

概要

• 大村 一郎の詳細を見る
• 同名の論文著者
• (株)東芝 研究開発センターの論文著者

関連著者

• 大村 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 大村 一郎

  (株)東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  九州工業大学

• 中川 明夫

  (株)東芝

• 舟木 英之

  株式会社 東芝

• 舟木 英之

  (株)東芝 先端半導体デバイス研究所

• 中川 明夫

  (株)東芝 研究開発センター

• 中川 明夫

  東芝 研開セ

著作論文

• パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• シリコンパワーデバイスの現状(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
• シリコンパワー素子の現状
• 国際会議レポート : APEC2004
• 5000V高耐圧超薄膜SOI素子の数値解析
• パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• CT-2-6 パワーデバイスの将来とその役割 : 「Si×WBG」から「Si+WBG」へ(CT-2.ワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

スポンサーリンク