舟木 英之 | (株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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概要
関連著者
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舟木 英之
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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山田 浩
(株)東芝研究開発センター
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飯田 敦子
(株)東芝材料・デバイス研究所
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小野塚 豊
(株)東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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中川 明夫
(株)東芝
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舟木 英之
株式会社 東芝
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板谷 和彦
(株)東芝 研究開発センター
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小野塚 豊
(株)東芝 研究開発センター
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舟木 英之
(株)東芝 研究開発センター
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中川 明夫
東芝 セミコンダクター社
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板谷 和彦
(株)東芝 研究開発センター、材料・デバイス研究所
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山田 浩
(株)東芝 研究開発センター
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飯田 敦子
(株)東芝 研究開発センター
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山口 好広
東芝 セミコンダクター社
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山口 好広
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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安原 紀夫
株式会社 東芝
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安原 紀夫
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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平山 敬三
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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末代 知子
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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西垣 亨彦
(株)東芝 研究開発センター
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安原 紀夫
(株)東芝
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末代 知子
(株)東芝
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舟木 英之
（株）東芝 研究開発センター
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板谷 和彦
（株）東芝 研究開発センター
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山田 浩
（株）東芝 研究開発センター
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小野塚 豊
（株）東芝 研究開発センター
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飯田 敦子
（株）東芝 研究開発センター
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藤原 郁夫
(株)東芝研究開発センター
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川口 雄介
東芝 セミコンダクター社
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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寺崎 仁規
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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大村 一郎
(株)東芝セミコンダクター社
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中川 明夫
(株)東芝 研究開発センター
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鈴木 和拓
東芝研究開発センター
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川口 雄介
(株)東芝セミコンダクター社
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中川 明夫
東芝 研開セ
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大村 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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藤原 郁夫
株式会社東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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石井 浩一
(株)東芝 研究開発センター
-
八木 均
(株)東芝 研究開発センター
-
鈴木 和拓
(株)東芝 研究開発センター
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本多 浩大
(株)東芝 研究開発センター
-
藤原 郁夫
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 擬似SoC技術を用いた集積型MEMS-半導体マイクロチップの開発
- 擬似SOC技術によるMEMSセンサとセンスアンプLSIの薄型集積化モジュール
- SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性
- 横型SOI高速ダイオードの逆回復特性
- SOIマルチ・チャンネルIGBTの電気特性
- SOI基板を用いた横型IEGTのオン特性
- 高耐圧60V SOI DMOSFET
- 擬似SOC集積化における応力解析 : 樹脂チップ間応力の低減(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- 擬似SOC技術によるMEMSセンサとセンスアンプLSIの薄型集積化モジュール
- 擬似SoC技術を用いた集積型MEMS-半導体マイクロチップの開発
- 5000V高耐圧超薄膜SOI素子の数値解析
- 擬似SOC集積化における応力解析 : 樹脂チップ間応力の低減(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- 真空度検知機能を有する赤外線イメージセンサ