SOI基板を用いた横型IEGTのオン特性
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概要
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SOI基板を用いて初めて試作した横型IEGT(injection enhanced insulated gate bipolar transistor)の電気特性について報告する。複数のトレンチゲートを形成し、ホールの排出を抑制する構造を用いてソース付近における伝導度変調の効果を高めることにより、オン特性を向上させることができた。最適化された横型IEGTでは従来の横型IGBTと比較してオン電流を2倍近くまで大きくすることができ、且つ、ほとんど同じターンオフ速度が得られた。この結果は、横型IEGTが高耐圧パワーICの出力素子の有力な候補であることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-14
著者
-
中川 明夫
(株)東芝
-
安原 紀夫
株式会社 東芝
-
安原 紀夫
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
-
舟木 英之
株式会社 東芝
-
舟木 英之
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
末代 知子
(株)東芝 材料・デバイス研究所
-
安原 紀夫
(株)東芝
-
末代 知子
(株)東芝
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