擬似SoC技術を用いた集積型MEMS-半導体マイクロチップの開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The authors have developed pseudo-SoC technology to realize MEMS-LSI integrated micro-chip. The pseudo-SoC technology consists of three technologies which are wafer reconfiguration technology, inter-chip redistribution layer technology, and pseudo-SoC thinning technology. In the wafer reconfiguration technology, the filling of resin and surface step between heterogeneous chips were improved through the optimization of vacuum printing process and resin material. These improvements reduced the warpage of reconfiguration wafer, leading to achievement of the reconfiguration wafer with 5 inch in diameter. In the inter-chip redistribution layer technology, the interface adherence between planar layer and inter-chip redistribution layer was improved, leading to the inter-chip redistribution layer with 1μm/1μm in line/space on reconfiguration wafer. In the pseudo-SoC thinning technology, thin pseudo-SoC device with 100μm in thickness was achieved through developing mechanical backside grinding process technology. Furthermore, ultra-thin pseudo-SoC which integrated electrostatic MEMS light valve and PWM driver IC was prototyped through developing the ultra-thin MEMS encapsulation technology.
著者
-
山田 浩
(株)東芝研究開発センター
-
舟木 英之
(株)東芝 研究開発センター
-
板谷 和彦
(株)東芝 研究開発センター
-
山田 浩
(株)東芝 研究開発センター
-
小野塚 豊
(株)東芝 研究開発センター
-
飯田 敦子
(株)東芝 研究開発センター
-
飯田 敦子
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
小野塚 豊
(株)東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
舟木 英之
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
板谷 和彦
(株)東芝 研究開発センター
-
小野塚 豊
(株)東芝 研究開発センター
関連論文
- ウェーハレベルチップスケールパッケージに関する技術動向と将来展望(次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文)
- 高輝度緑色LED
- 擬似SoC技術を用いた集積型MEMS-半導体マイクロチップの開発
- 擬似SOC技術によるMEMSセンサとセンスアンプLSIの薄型集積化モジュール
- ディスプレイ
- 212 Au-Alフリップチップ実装における接合メカニズムと信頼性
- Au-Al固相拡散接合における接合安定化に関する研究
- Au-Al固相拡散フリップチップ実装技術における接合メカニズム
- 構造解析を用いたフリップチップ封止樹脂の硬化条件最適化
- Au-Al固相拡散フリップチップ実装技術 : Au-Al金属間化合物の組成制御による接合安定化に関する研究
- Au-Al固相拡散フリップチップ実装における接合信頼性に関する一考察
- Active Matrix Devices 2(SID'05報告)
- Active Matrix Devices 2(SID'05報告)
- SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性
- 横型SOI高速ダイオードの逆回復特性
- SOIマルチ・チャンネルIGBTの電気特性
- SOI基板を用いた横型IEGTのオン特性
- 高耐圧60V SOI DMOSFET
- 圧電駆動型RF-MEMS可変キャパシタの多値動作化
- 異種デバイスを高密度集積化できる擬似SOC技術
- 擬似SOC集積化における応力解析 : 樹脂チップ間応力の低減(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- Active Matrix Devices 2(SID'05報告)
- Active Matrix Devices 2(SID'05報告)
- Active Matrix Devices 2(SID'05報告)
- CMOS-First, MEMS-Last 型集積化法におけるMEMSポストプロセスの検討
- 圧電駆動型RF-MEMS可変キャパシタの電気特性
- RF-MEMSデバイス (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- 擬似SOC技術によるMEMSセンサとセンスアンプLSIの薄型集積化モジュール
- 擬似SoC技術を用いた集積型MEMS-半導体マイクロチップの開発
- はんだバンプ電極を用いたフリップチップ実装におけるバンプ電極変形量のフラックス依存性評価(集積エレクトロニクス)
- 真空度検知機能を有する赤外線イメージセンサ
- 強誘電体を用いた記録保持型LCD
- 強誘電体を用いた記録保持型LCD
- 強誘電体膜を用いた記録保持型LCDの動作原理検討
- 強誘電体膜を用いた記録保持型LCDの動作原理検討
- 真空度検知機能を有する赤外線イメージセンサ
- フリップチップ実装技術における封止樹脂の硬化温度依存性に関する評価と考察(SiP要素技術と信頼性解析, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
- 高密度3次元実装技術を用いたマイクロカメラ視覚システム
- マイクロカメラ視覚システムの高密度3次元側面配線実装技術
- マイクロ視覚システムの高密度3次元実装技術
- 121 配管内自走検査マシン用マイクロ視覚の開発開発
- 無線通信マイクロカメラシステムのMEMS3次元実装技術
- 無線通信マイクロカメラシステムのMEMS3次元実装技術
- 高密度マイクロ視覚モジュール 3 次元実装技術
- マイクロカメラモジュール3次元実装技術
- マイクロカメラモジュール3次元実装技術
- マイクロカメラモジュール3次元実装技術
- 高密度マイクロ視覚モジュール3次元実装技術 (MES'98 第8回マイクロエレクトロニクスシンポジウム) -- (モジュール化技術)
- 5000V高耐圧超薄膜SOI素子の数値解析
- 擬似SOC集積化における応力解析 : 樹脂チップ間応力の低減(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- ウェーハレベルチップスケールパッケージ薄膜配線のビア接続部分における感光性ポリイミド膜のキュア特性(集積エレクトロニクス)
- ウェーハレベルチップスケールパッケージの薄膜配線におけるビア接続抵抗に関する評価と考察(集積エレクトロニクス)
- 噴流式めっき装着によるめっき膜に対する膜厚分布のCVS解析
- はんだバンプのバリアメタルに及ぼす酸素の影響
- 高精度はんだバンプ形成用電気めっき装置の開発
- 成膜方法とはんだバンプ用銅バリアメタルの評価
- はんだバンプにおける銅バリアメタルの信頼性
- はんだバンプのバリアメタル構造評価
- 擬似SoCを用いた異種デバイス集積ウエハレベルシステムインテグレーション技術(高密度システムインテグレーション技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- 擬似SoCを用いた異種デバイス集積ウエハレベルシステムインテグレーション技術(高密度システムインテグレーション技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地)
- GaN系青色レーザの試作と転位運動の解析
- GaN系青色レーザの試作と転位運動の解析
- P&I富士フイルム(株)先進研 見学会印象記
- P&I旭硝子(株)愛知工場 見学会印象記
- P&Iデンソー(株)見学会
- P&Iシンポジウム印象記
- 630nm帯可視光半導体レ-ザ
- 真空度検知機能を有する赤外線イメージセンサ
- 擬似SoC技術を用いた異種デバイスのシステムインテグレーション
- 発見型研究における発見志向の研究行動を促すマネジメントに関する定性的研究
- 発見型研究における発見志向の研究行動を促すマネジメントに関する定性的研究