擬似SoCを用いた異種デバイス集積ウエハレベルシステムインテグレーション技術(高密度システムインテグレーション技術,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
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概要
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擬似SoCを用いた異種デバイス集積ウエハレベルシステムインテグレーション技術の研究開発を行った。擬似SoCは,各々独自の製造技術で完成された異種デバイスをエポキシ樹脂中に混載して,異種デバイス間を再配列配線で相互接続したマイクロチップである。異種デバイスは,KGD (Known Good Die)としてエポキシ樹脂中に配置されており,再構築ウエハを形成している。再配列配線は,インターポーザ基板を用いないで,半導体プロセス工程で形成するため,SoCと同等の集積密度を実現している。本論文では,擬似SoCを用いたウエハレベルシステムインテグレーション技術の概要と,モバイル機器用途に試作したMEMSとCMOS-LSIを混載したフレキシブル擬似SoCについて述べる。
- 2010-11-22
著者
-
山田 浩
株式会社東芝材料・デバイス研究所
-
板谷 和彦
(株)東芝 研究開発センター
-
小野塚 豊
(株)東芝 研究開発センター
-
板谷 和彦
(株)東芝 研究開発センター、材料・デバイス研究所
-
舟木 英之
(株)東芝 研究開発センター
-
山田 浩
(株)東芝 研究開発センター
-
飯田 敦子
(株)東芝 研究開発センター
-
小野塚 豊
株式会社東芝研究開発センター
-
飯田 敦子
株式会社東芝研究開発センター
-
板谷 和彦
株式会社東芝研究開発センター
-
舟木 英之
株式会社東芝研究開発センター
-
板谷 和彦
株式会社東芝
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