GaN系青色レーザの試作と転位運動の解析
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概要
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C面サファイア基板上に劈開ミラーを有するGaN系多重量子井戸構造レーザを試作し、室温パルス発振を得た。レーザ発振波長は417.5nm、スペクトルの半値幅は0.15nm、しきい値電流密度は50kA/cm^2であった。簡便な劈開法がGaN/サファイア系レーザにも適用可能であることを示した。また、転位運動論の観点から実用上重量な信頼性に関しての検討を行った。GaN系材料の転位速度は従来の発光素子材料であるGaAsやInGaAsP系材料に比べ、室温付近では格段に遅く、劣化に寄与する可能性が低いことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-17
著者
-
板谷 和彦
(株)東芝 研究開発センター
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板谷 和彦
(株)東芝 研究開発センター、材料・デバイス研究所
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杉浦 理砂
(株)東芝 研究開発センター、材料・デバイス研究所
-
小野村 正明
(株)東芝 研究開発センター、材料・デバイス研究所
-
小野村 正明
東芝
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