窒化ガリウム基板上の青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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低転位GaN基板およびサファイア基板上へ結晶成長を行い、Mgの拡散および基板の反りについて検討を行った。低転位GaN基板を用いることにより、Mg拡散が抑制され、反りも低減されることが分った。リッジ構造形成に適したセルフアラインプロセスを開発し、低転位GaN基板上にリッジ構造レーザを作製した。室温連続動作で最小しきい電流値35mAが得られた。また、光出力200mWまでキンクフリーの高出力特性の素子も得ることができた。スロープ効率は1.68W/A、特性温度(25〜60℃)150Kと良好な素子特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
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斎藤 真司
(株)東芝 研究開発センター
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橘 浩一
(株)東芝 研究開発センター
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布上 真也
(株)東芝 研究開発センター
-
布上 真也
株式会社東芝研究開発センター
-
斎藤 真司
株式会社東芝研究開発センター
-
勝野 弘
株式会社東芝研究開発センター
-
原田 佳幸
株式会社東芝研究開発センター
-
橘 浩一
株式会社東芝研究開発センター
-
本郷 智恵
株式会社東芝研究開発センター
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小野村 正明
株式会社東芝研究開発センター
-
布上 真也
早稲田大学理工学部:(現)(株)東芝総合研究所
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小野村 正明
東芝
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本郷 智恵
株式会社東芝 研究開発センター
-
勝野 弘
株式会社東芝 研究開発センター
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布上 真也
(株)東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー
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