布上 真也 | 早稲田大学理工学部:(現)(株)東芝総合研究所
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概要
関連著者
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布上 真也
(株)東芝 研究開発センター
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布上 真也
早稲田大学理工学部:(現)(株)東芝総合研究所
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布上 真也
(株)東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー
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橘 浩一
(株)東芝 研究開発センター
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斎藤 真司
(株)東芝 研究開発センター
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波多腰 玄一
(株)東芝 研究開発センター
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波多腰 玄一
(株)東芝研究開発センター
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小野村 正明
東芝
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中村 優
光技術研究所
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加藤 栄一
早稲田大
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加藤 榮一
早稲田大学理工学部
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布上 真也
Rwcp光東芝研究室
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波多腰 玄一
(株)東芝材料デバイス研究所
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布上 真也
株式会社東芝研究開発センター
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斎藤 真司
株式会社東芝研究開発センター
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勝野 弘
株式会社東芝研究開発センター
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原田 佳幸
株式会社東芝研究開発センター
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橘 浩一
株式会社東芝研究開発センター
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本郷 智恵
株式会社東芝研究開発センター
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小野村 正明
株式会社東芝研究開発センター
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本郷 智恵
株式会社東芝 研究開発センター
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勝野 弘
株式会社東芝 研究開発センター
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加藤 榮一
早稲田大学
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波多腰 玄一
東芝 研開セ
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加藤 栄一
早稲田大学鋳物研究所
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大橋 真
Rwcp光東芝研究室
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中村 優
RWCP光東芝研究室
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成田 哲生
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
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財満 康太郎
(株)東芝 研究開発センター
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名古 肇
(株)東芝 研究開発センター
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成田 哲生
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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鈴木 信夫
RWCP光東芝研究室
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大原 伸昭
早稲田大学大学院
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加藤 栄一
早稲田大学理工学部
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手塚 勉
東芝研究開発センター
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布上 真也
東芝研究開発センター
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吉田 春彦
光技術研究所
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西部 徹
東芝研究開発センター
-
野田 隆夫
東芝研究開発センター
著作論文
- 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- ドライエッチングによるマイクロキャビティレーザの作製 : AlAs/AlGaAs多層膜エッチング条件の検討
- 面型光増幅器の利得特性と多段接続性に関する検討
- InGaAsP面型光増幅器の多段接続に関する検討
- 面型光増幅器の増幅特性
- 窒化ガリウム基板上の青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化ガリウム基板上の青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 化合物半導体の製造プロセス・装置の最新動向 (特集1 化合物半導体の開発・応用動向)
- 高出力青紫色半導体レーザ
- 222 Fe_tO-P_2O_5 系中の P_2O_5 の活量係数に及ぼす CaO, MgO, MnO, SiO_2 の影響(溶銑予備処理(除樋)・取鍋精錬・精錬基礎, 製鋼, 日本鉄鋼協会第 111 回(春季)講演大会)
- 超高真空高温用質量分析計の試作
- 高温質量分析法の状態図作成への応用(昭和 62 年度石原・浅田研究助成金による研究報告)
- 質量分析法による Fe_tO-P_2O_5 系中の P_2O_5 と CaO, MgO, MnO 及び SiO_2 の相互作用母係数の測定
- 質量分析法による Fe-Sn 系の二液相分離領域の決定および 1550℃, 1600℃での活量測定
- 発光させる : LED素子の現状と今後(LED照明を支える要素技術)
- ウルツ鉱構造InGaNのバンド構造とオージェ再結合の解析(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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