波多腰 玄一 | (株)東芝材料デバイス研究所
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概要
関連著者
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波多腰 玄一
(株)東芝材料デバイス研究所
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波多腰 玄一
(株)東芝 研究開発センター
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波多腰 玄一
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波多腰 玄一
東芝 研開セ
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布上 真也
(株)東芝 研究開発センター
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布上 真也
早稲田大学理工学部:(現)(株)東芝総合研究所
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布上 真也
(株)東芝 研究開発センター 電子デバイスラボラトリー
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斎藤 真司
(株)東芝 研究開発センター
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成田 哲生
名古屋大学 工学研究科電子工学専攻 赤崎記念研究センター
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橘 浩一
(株)東芝 研究開発センター
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財満 康太郎
(株)東芝 研究開発センター
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名古 肇
(株)東芝 研究開発センター
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成田 哲生
名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻
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波多腰 玄一
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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波多腰 玄一
東芝
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石川 正行
(株)東芝研究開発センター
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大橋 真
Rwcp光東芝研究室
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中村 優
光技術研究所
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布上 真也
Rwcp光東芝研究室
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中村 優
RWCP光東芝研究室
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笹沼 克信
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
著作論文
- 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 面型光増幅器の増幅特性
- 赤色面発光レーザー
- InGaA1P赤色VCSEL/RCLED
- 赤色面発光レーザー
- 665nm帯InGaAlP赤色面発光レーザ
- 赤色面発光レーザ
- 発光ダイオードの動作原理
- GaN系レーザにおけるオーバーフロー電流の解析
- 光メモリー用短波長半導体レーザー
- 3-2 可視光半導体レーザ (化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発) 3.情報処理用光デバイス